[發明專利]具有多個溶液加工層的有機電子器件

無效

• 申請號: 201480048103.3
• 申請日: 2014-08-29
• 公開（公告）號: CN105723536A
• 公開（公告）日: 2016-06-29
• 發明（設計）人: S·R·弗里斯特;B·E·拉西特;J·D·齊默爾曼
• 申請（專利權）人: 密執安州立大學董事會
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00;H01L51/42;H01L51/50
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王海寧

1.一種制造串聯有機光敏器件的方法，該方法包括：

提供襯底；

在襯底上方沉積第一導電電極層；

通過溶解在第一溶劑中的電子施主型小分子材料的溶液加工在襯底上方沉積第一層電子施主型小分子材料膜；

通過干法沉積工藝在該第一層電子施主型小分子材料膜上方沉積第一層電子受主型小分子材料，形成臨時堆疊體；

通過干法沉積工藝在該臨時堆疊體上方沉積導電層；

通過溶解在第二溶劑中的電子施主型小分子材料的溶液加工在該導電層上方沉積第二層電子施主型小分子材料膜，其中該電子受主型小分子材料和導電層不溶于該第二溶劑；

通過干法沉積工藝在該第二層電子施主型小分子材料膜上方沉積第二層電子受主型小分子材料，形成堆疊體；以及

在該堆疊體上方沉積第二導電電極層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中該電子施主型小分子材料是官能化的方酸菁，該電子受主型小分子材料是富勒烯，該第一溶劑是氯仿或四氫呋喃，以及該第二溶劑是四氫呋喃。

3.根據權利要求1所述的方法，進一步包括在該臨時堆疊體上方沉積導電層之前對該臨時堆疊體退火的步驟。

4.根據權利要求3所述的方法，其中該退火步驟是溶劑蒸氣退火或熱退火。

5.根據權利要求3所述的方法，進一步包括在該堆疊體上方沉積第二導電電極層之前對該堆疊體退火的步驟。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，該退火步驟是溶劑蒸氣退火或熱退火。

7.根據權利要求4所述的方法，其中該溶劑蒸氣退火由暴露于二氯甲烷蒸氣持續5-10分鐘構成。

8.根據權利要求6所述的方法，其中該溶劑蒸氣退火由暴露于二氯甲烷蒸氣持續5-10分鐘構成。

9.根據權利要求1所述的方法，其中該干法沉積工藝是真空熱蒸發工藝。

10.根據權利要求9所述的方法，其中該第一導電電極層是陽極以及第二導電電極層是陰極。

11.根據權利要求9所述的方法，其中在該臨時堆疊體和第二層電子施主型材料膜之間的導電層包含Ag和MoO₃的薄層。

12.根據權利要求11所述的方法，其中該MoO₃層具有5-20nm的厚度。

10.根據權利要求9所述的方法，其中該導電層由PTCBI形成。

11.一種制造串聯有機發光器件的方法，該方法包括：

(a)提供劑底；

(b)在襯底上方沉積第一導電電極層；

(c)通過干法沉積工藝沉積第一空穴注入層；

(d)通過干法沉積工藝沉積第一空穴傳輸層；

(e)通過溶解于第一溶劑中的發射材料的溶液基工藝沉積第一發射層；

(f)通過干法沉積工藝沉積電子傳輸層；

(g)通過干法沉積工藝沉積第一導電夾層；

(h)通過干法沉積工藝沉積第二HIL；

(i)通過干法沉積工藝沉積第二HTL；

(j)通過溶解于第二溶劑中的發射材料的溶液基工藝沉積第二發射層，其中該電子傳輸層和該導電夾層不溶于第二溶劑；

(k)通過干法沉積工藝沉積第二電子傳輸層；以及

(l)通過干法沉積工藝沉積第二導電夾層。

12.根據權利要求11所述的方法，進一步包括在步驟(e)之后但在步驟(f)之前的退火步驟。

13.根據權利要求12所述的方法，其中該退火步驟是溶劑蒸氣退火或熱退火。

14.根據權利要求11所述的方法，進一步包括在步驟(j)之后但在步驟(k)之前的第二退火步驟。

15.根據權利要求14所述的方法，其中該退火步驟是溶劑蒸氣退火或熱退火。

16.根據權利要求11所述的方法，其中通過干法沉積工藝在步驟(d)之后但在步驟(e)之前沉積任選的電子阻擋層。

17.根據權利要求11所述的方法，其中通過干法沉積工藝在步驟(f)之后但在步驟(g)之前沉積任選的空穴阻擋層。