[發明專利]用于通過電絕緣的絕緣溝槽在薄層太陽能模塊中制造子太陽能模塊的方法以及用于制造具有這種類型的絕緣溝槽的薄層太陽能模塊的方法

有效

• 申請號: 201480048042.0
• 申請日: 2014-08-28
• 公開（公告）號: CN105917473B
• 公開（公告）日: 2018-03-02
• 發明（設計）人: 拉爾夫·洪格爾;斯特凡·馬沙爾;帕特里克·蒙德;安德烈亞斯·卡恩
• 申請（專利權）人: 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司11285
• 代理人: 鄭建暉,潘飛

1.一種用于通過電絕緣的絕緣溝槽在薄層太陽能模塊中制造子太陽能模塊的方法，所述薄層太陽能模塊由一體式彼此互連的薄層太陽能電池來構建，所述方法具有以下步驟：

-提供具有激光波長的激光，

-提供具有第一側和第二側的基底(1)，所述基底對于所述激光波長來說是透明的，其中，所述基底(1)的第一側具有多個一體式互連的薄層太陽能電池，所述薄層太陽能電池由金屬的背電極薄層(2)、布置在所述金屬的背電極薄層(2)上的吸收薄層(3)和布置在所述吸收薄層上的前電極結構(4)來構建，

-將激光射束(L)射入到所述基底上，

-使所述激光射束(L)沿著至少一條切割線(S)在所述基底(1)上運動和/或使所述基底(1)相對于所述激光射束(L)運動，用以借助激光射束(L)與基底(1)之間的相對運動產生至少一個絕緣溝槽(I1、I2、I3、I4)，

其特征在于，

將所述激光射束(L)射入到所述基底(1)的第二側上、穿過所述基底(1)落到所述金屬的背電極薄層(2)上，并且所述激光射束以在皮秒或飛秒范圍內的激光脈沖以如下方式調節并且所述激光射束(L)與基底(1)之間的相對運動以如下方式實施，即，連同所述金屬的背電極薄層(2)一起將布置在所述金屬的背電極薄層上的吸收薄層(3)和布置在所述吸收薄層上的前電極結構(4)沿著所述切割線(S)從所述基底(1)燒蝕掉。

2.根據權利要求1所述的用于制造子太陽能模塊的方法，其特征在于，所述激光波長在接近紅外線范圍內或可見光的頻譜范圍內來選擇。

3.根據權利要求1或2所述的用于制造子太陽能模塊的方法，其特征在于，使用具有在33.3kHz至400kHz范圍內的脈沖頻率的脈沖式激光。

4.根據權利要求3所述的用于制造子太陽能模塊的方法，其特征在于，所述激光射束(L)被運動，從而確保沿著所述切割線(S)相繼跟隨的激光脈沖的10％至95％在空間上重疊。

5.根據權利要求3所述的用于制造子太陽能模塊的方法，其特征在于，每激光脈沖的脈沖能量在5μJ至125μJ的范圍內來選擇。

6.根據權利要求1或2所述的用于制造子太陽能模塊的方法，其特征在于，所述基底(1)構造為玻璃基底并且在背電極薄層(2)與玻璃基底之間具有阻擋薄層(1a)，其中，所述激光射束(L)以如下方式調節并且所述激光射束(L)與基底(1)之間的相對運動以如下方式實施，即，沿著所述切割線(S)在所述基底上保留被激光影響過的阻擋薄層(1a)。

7.根據權利要求1或2所述的用于制造子太陽能模塊的方法，其特征在于，所述吸收薄層(3)構造為三元的或四元的半導體。

8.根據權利要求1或2所述的用于制造子太陽能模塊的方法，其特征在于，所述基底(1)呈矩形地構造有第一棱邊長度和第二棱邊長度，上棱邊和下棱邊，其中，平行于所述上棱邊和平行于所述下棱邊地、以所述第一棱邊長度或所述第二棱邊長度的10％至15％的量間隔開地制造出第一絕緣溝槽(I1)和第二絕緣溝槽(I2)。

9.根據權利要求8所述的用于制造子太陽能模塊的方法，其特征在于，平行于所述第一絕緣溝槽和第二絕緣溝槽(I1、I2)地在所述第一絕緣溝槽與所述第二絕緣溝槽(I1、I2)之間居中地制造出一個另外的絕緣溝槽(I3)。

10.根據權利要求8所述的用于制造子太陽能模塊的方法，其特征在于，平行于所述第一絕緣溝槽和第二絕緣溝槽(I1、I2)地在所述第一絕緣溝槽與所述第二絕緣溝槽(I1、I2)之間以如下方式制造出兩個另外的絕緣溝槽(I3、I4)，即，使得所述兩個另外的絕緣溝槽(I3、I4)之間的間距與所述第一絕緣溝槽和所述第二絕緣溝槽(I1、I2)相對各自相鄰的另外的絕緣溝槽之間的間距大小相同。

11.根據權利要求1或2所述的用于制造子太陽能模塊的方法，其特征在于，絕緣溝槽(I1、I2、I3、I4)由多個相鄰的切割線(S)的平行重疊布置來形成。

12.根據權利要求4所述的用于制造子太陽能模塊的方法，其特征在于，所述激光射束(L)被運動，從而確保沿著所述切割線(S)相繼跟隨的激光脈沖的15％至30％在空間上重疊。