[發明專利]從陶瓷基體復合材料去除阻隔涂層、粘合涂層和氧化物層的方法

有效

• 申請號: 201480047991.7
• 申請日: 2014-07-28
• 公開（公告）號: CN105473821B
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發明（設計）人: J.韋弗;D.G.鄧
• 申請（專利權）人: 通用電氣公司
• 主分類號: F01D5/00
• 分類號: F01D5/00;C04B41/53;C04B41/91
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 周李軍;林森

1.一種從陶瓷基體復合材料去除粘合涂層的方法，所述方法包含：使包含粘合涂層的陶瓷基體復合材料與至少一種氫氧化物接觸，經過使所述氫氧化物反應所必需的足夠時間；而從所述陶瓷基體復合材料去除所述粘合涂層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中從所述陶瓷基體復合材料去除基本所有粘合涂層，而不損傷所述陶瓷基體復合材料。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述氫氧化物選自氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銨、氫氧化鋰和四甲基氫氧化銨。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述氫氧化物是氫氧化鈉。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述陶瓷基體復合材料包含非氧化物基體中的氧化物或非氧化物纖維。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述陶瓷基體復合材料包含SiC基體中的SiC纖維、含硅化物基體中的SiC纖維、Si-SiC基體中的SiC纖維、碳基體中的碳纖維、SiC基體中的碳纖維或SiC基體中的氧化鋁纖維。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述陶瓷基體復合材料包含Si-SiC基體中的SiC纖維。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述粘合涂層包含硅。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述氫氧化物包含至少5重量%的氫氧化物且余量基本為水。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述氫氧化物包含10重量%-40重量%的氫氧化鈉。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述接觸和去除步驟在高于環境的升高的溫度和壓力下進行。

12.根據權利要求11所述的方法，其中升高的溫度為至少120℃且升高的壓力為0.1-1MPa。

13.根據權利要求1所述的方法，其中所述氫氧化物為處于至少50℃的溫度的溶液。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述接觸和去除步驟與對所述溶液提供超聲能同步進行。

15.根據權利要求1所述的方法，其中使具有阻隔涂層和/或粘合涂層的陶瓷基體復合材料與氫氧化物接觸30秒或更多。

16.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括在與所述氫氧化物接觸的步驟后，使所述陶瓷基體復合材料與水在比所述氫氧化物的溫度低的溫度下接觸的步驟。

17.根據權利要求1所述的方法，其中將涂布基材浸沒在容納于向環境大氣敞開的容器內的苛性堿液體中。

18.根據權利要求1所述的方法，其進一步包含從所述陶瓷基體復合材料去除氧化物層。

19.從陶瓷基體復合材料去除阻隔涂層的方法，所述方法包含：使涂布的陶瓷基體復合材料與包含至少一種氫氧化物的苛性堿液體接觸，經過所述液體化學侵蝕阻隔涂層下面的粘合涂層所必需的足夠時間，導致所述阻隔涂層從所述陶瓷基體復合材料分離，從而去除阻隔涂層。

20.根據權利要求19所述的方法，其中所述氫氧化物選自氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銨、氫氧化鋰和四甲基氫氧化銨。

21.根據權利要求19所述的方法，其中所述液體為氫氧化鈉。