[發(fā)明專利]導(dǎo)電性膜、觸摸屏、顯示裝置、以及導(dǎo)電性膜的評價方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480047181.1 | 申請日： | 2014-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN105519249B | 公開（公告）日： | 2018-07-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 巖見一央 | 申請（專利權(quán)）人： | 富士膠片株式會社 |
| 主分類號： | H05K9/00 | 分類號： | H05K9/00;G06F3/041;G09F9/00 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 馬爽;臧建明 |
| 地址： | 日本東京港區(qū)*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 配線圖案 導(dǎo)電性膜 像素排列 圖案 頻譜 合成 圖像數(shù)據(jù) 顯示裝置 抽出 觸摸屏 透過率 云紋 噪聲 合成圖案 透明基體 顯示畫面 可見性 去除 干涉 | ||
1.一種導(dǎo)電性膜，設(shè)置于顯示裝置的顯示單元上，其特征在于包括：
透明基體；以及
第1導(dǎo)電部及第2導(dǎo)電部，分別形成于所述透明基體的兩面；
所述第1導(dǎo)電部具有第1配線圖案，所述第2導(dǎo)電部具有第2配線圖案，所述第1配線圖案及第2配線圖案由多根金屬細(xì)線而形成為排列著多個開口部的網(wǎng)孔狀，
所述第1配線圖案至少具有第1圖案，所述第2配線圖案至少具有第2圖案，所述第1圖案及第2圖案的透過率圖像數(shù)據(jù)的2維傅立葉空間內(nèi)的頻譜的頻散不同，
所述第1配線圖案及第2配線圖案作為合成配線圖案而重疊于所述顯示單元的像素排列圖案，
所述像素排列圖案與所述合成配線圖案的合成圖案，自所述合成圖案的透過率圖像數(shù)據(jù)的2維傅立葉空間內(nèi)的多個頻譜中，去除所述像素排列圖案的透過率圖像數(shù)據(jù)的2維傅立葉空間內(nèi)的多個頻譜及所述合成配線圖案的透過率圖像數(shù)據(jù)的2維傅立葉空間內(nèi)的多個頻譜，并僅抽出由所述像素排列圖案與所述合成配線圖案的所述第1配線圖案及第2配線圖案的干涉而產(chǎn)生的云紋及噪聲的多個頻譜，求出所抽出的全部多個頻譜的合計值，根據(jù)所述合計值算出的云紋及噪聲的抽出定量值為規(guī)定范圍內(nèi)，其中在將所述定量值以常用對數(shù)值計而設(shè)為E時，所述規(guī)定范圍為E＜-2.150。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性膜，其中所述云紋及噪聲的頻譜的合計值是僅將具有如下頻率的頻譜全部進(jìn)行合計并求出而所得，所述頻率低于所述像素排列圖案的空間頻率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性膜，其中在將所述定量值以常用對數(shù)值計而設(shè)為E時，所述規(guī)定范圍為E＜-2.20425。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電性膜，其中所述第1圖案的透過率圖像數(shù)據(jù)的2維傅立葉空間內(nèi)的頻譜的標(biāo)準(zhǔn)偏差為-5.0以上，
所述第2圖案的透過率圖像數(shù)據(jù)的2維傅立葉空間內(nèi)的頻譜的標(biāo)準(zhǔn)偏差小于-5.0。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電性膜，其中所述第1圖案為規(guī)則的圖案，
所述第2圖案為不規(guī)則圖案，
所述開口部通過金屬細(xì)線相互交叉而形成，
所述規(guī)則的圖案為以多個相同形狀的所述開口部相連的方式形成為網(wǎng)孔狀的定型的圖案，
所述不規(guī)則圖案為俯視時以包含多個形狀彼此不同的所述開口部的方式形成為網(wǎng)孔狀的無規(guī)圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電性膜，其中具有所述第1配線圖案的所述第1導(dǎo)電部形成于所述透明基體的上表面，
具有所述第2配線圖案的所述第2導(dǎo)電部形成于所述透明基體的下表面，
所述第1配線圖案包含所述第1圖案，
所述第2配線圖案包含所述第2圖案，
朝向y方向的所述第2配線圖案的電極寬度比朝向x方向的所述第1配線圖案的電極寬度大。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電性膜，其中所述云紋及噪聲的頻率由所述合成配線圖案的峰值頻率與所述像素排列圖案的峰值頻率的差分而提供，所述云紋及噪聲的強(qiáng)度由所述合成配線圖案的峰值強(qiáng)度與所述像素排列圖案的峰值強(qiáng)度的乘積而提供。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電性膜，其中所述透過率圖像數(shù)據(jù)及所述頻譜的強(qiáng)度以所述合成圖案的透過率圖像的面積而標(biāo)準(zhǔn)化。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電性膜，其中所述像素排列圖案為黑矩陣圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電性膜，其中形成所述第2圖案的所述金屬細(xì)線的線寬為1μm～5μm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電性膜，其中形成所述第2圖案的所述開口部彼此的平均間距處于100μm～500μm的范圍內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電性膜，其中形成所述第1圖案的所述金屬細(xì)線的線寬為1μm～5μm。
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