[發明專利]用于金屬化的對準有效
| 申請號: | 201480046905.0 | 申請日: | 2014-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN105531832B | 公開(公告)日: | 2017-09-26 |
| 發明(設計)人: | 涂修文 | 申請(專利權)人: | 太陽能公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112 | 代理人: | 顧麗波,李榮勝 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 金屬化 對準 | ||
技術領域
本文所述主題的實施例整體涉及光伏組件,包括太陽能電池、光伏層壓板和光伏模塊。更具體地講,所述主題的實施例涉及太陽能電池、光伏層壓板和制造工藝。
背景技術
太陽能電池是熟知的用于將太陽輻射轉換成電能的裝置。它們可以在半導體晶片上用半導體加工技術制造。光伏電池或太陽能電池包括P型擴散區和N型擴散區。撞擊在太陽能電池上的太陽輻射產生遷移至擴散區的電子和空穴,從而在擴散區之間形成電壓差。在背接觸太陽能電池中,擴散區和與它們耦接的金屬接觸指均位于太陽能電池的背面上。接觸區和接觸指允許外部電路耦接到太陽能電池上并由太陽能電池供電。可使用各種工藝和密封劑材料將太陽能電池封裝到光伏層壓板中,其中光伏層壓板可進一步被封裝到光伏模塊中。一個或多個實施例涉及光伏電池或太陽能電池以及光伏層壓板制造工藝。
發明內容
在一個實施例中,公開了一種用于金屬化第一太陽能電池的方法。該方法可包括將圖案化的金屬箔或穿孔的金屬箔置于第一太陽能電池上。圖案化的金屬箔可包括正母線、負母線、從正母線延伸的正接觸指、從負母線延伸的負接觸指、金屬條和薄片。圖案化的金屬箔還可包括連接正接觸指和負接觸指的金屬條和薄片。該方法還可包括將圖案化的金屬箔耦接至第一太陽能電池,并移除薄片和金屬條,當移除金屬條后,正母線和負母線不再彼此連接。
在一個實施例中,公開了另一種用于金屬化第一太陽能電池的方法。該方法可包括使用燒蝕工藝來圖案化金屬箔。該方法還可包括使用可視對準系統將圖案化的金屬箔置于第一太陽能電池上,圖案化的金屬箔使得正母線和負母線由金屬條和薄片彼此連接。該方法還包括將圖案化的金屬箔耦接至第一太陽能電池,并通過拉動金屬條的邊緣移除圖案化的金屬箔的薄片和金屬條,當移除金屬條后,正母線和負母線不再彼此連接。
在一個實施例中,公開了一種用于金屬化光伏層壓板的方法。該方法可包括將密封劑置于實質透明層上。該方法還可包括將第一太陽能電池置于密封劑上。該方法還可包括將圖案化的金屬箔置于第一太陽能電池上,圖案化的金屬箔使得正母線和負母線由金屬條和薄片彼此連接。該方法可包括將圖案化的金屬箔耦接至第一太陽能電池,并移除薄片和金屬條,當移除金屬條和薄片后,正母線和負母線不再彼此連接。
附圖說明
當結合以下附圖考慮時,通過參見具體實施方式和權利要求書可以更完全地理解所述主題,其中在所有附圖中,類似的附圖標記是指類似的元件。
圖1是根據一些實施例的金屬化太陽能電池的示例性方法的流程示意圖;
圖2是根據一個實施例的太陽能電池上圖案化的金屬箔的示意性平面圖;
圖3和圖4是根據一些實施例從圖案化的金屬箔上移除金屬條和薄片的示意性平面圖;
圖5是根據一些實施例的太陽能電池的示意性平面圖;
圖6和圖7是根據一些實施例形成圖案化的金屬箔的示意性平面圖;
圖8是根據一些實施例的太陽能電池串的示意性平面圖;
圖9是根據一些實施例的另一個太陽能電池串的示意性平面圖;
圖10示出了根據本發明公開的金屬化技術制造的示例性太陽能電池的橫截面;
圖11示出了根據本發明公開的金屬化技術制造的另一個示例性太陽能電池的橫截面;
圖12是根據一些實施例的金屬化光伏模塊的示例性方法的流程示意圖;并且
圖13示出了根據本發明公開的金屬化技術制造的光伏模塊的橫截面。
具體實施方式
以下具體實施方式本質上只是例證性的,并非意圖限制所述主題的實施例或此類實施例的應用和用途。如本文所用,詞語“示例性”意指“用作例子、實例或舉例說明”。本文描述為示例性的任何實施未必理解為相比其它實施為優選的或有利的。此外,并不意圖受前述技術領域、背景技術、發明內容或以下具體實施方式中提出的任何明示或暗示的理論的約束。
本說明書包括對“一個實施例”或“實施例”的提及。短語“在一個實施例中”或“在實施例中”的出現不一定是指同一實施例。特定的特征、結構或特性可以任何與本公開一致的合適方式加以組合。
術語。以下段落提供存在于本公開(包括所附權利要求書)中的術語的定義和/或背景:
“包括”。該術語是開放式的。如在所附權利要求書中所用,該術語并不排除另外的結構或步驟。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





