[發(fā)明專利]基板操作設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480046768.0 | 申請日: | 2014-08-04 |
| 公開(公告)號: | CN105473763B | 公開(公告)日: | 2019-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | D.布賴恩 | 申請(專利權(quán))人: | 艾克斯特朗歐洲公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458;C23C16/46;C23C16/52;C30B25/10;C30B29/40;C23C16/30;G05D23/00;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 侯宇 |
| 地址: | 德國黑*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 操作 設(shè)備 | ||
本發(fā)明涉及一種用于操作基板的設(shè)備和方法,具有具備多個局部加熱裝置的加熱裝置,以及調(diào)節(jié)裝置,調(diào)節(jié)裝置的指令變量是基座溫度(Ts),基座溫度的調(diào)節(jié)量是通過測溫裝置(10)測量的基座(7)的實際溫度,并且基座溫度的調(diào)整參數(shù)是向加熱裝置供給的總熱功率(Ptot)的值。設(shè)有熱功率分配器(12),其作為輸入值獲得調(diào)整參數(shù)(Ptot)并且作為輸出值向每個局部加熱裝置(1、2、3、4、5)提供局部熱功率(P1、P2、P3、P4、P5),其中,局部熱功率(P1、P2、P3、P4、P5)的數(shù)值之和等于調(diào)整參數(shù)(Ptot),并且局部熱功率(P1、P2、P3、P4、P5)的數(shù)值相互間處于預(yù)設(shè)的固定比例關(guān)系。為了提供緊湊的調(diào)節(jié)回路,具有多個局部加熱裝置的設(shè)備通過該調(diào)節(jié)回路可以與變化的處理參數(shù)相匹配,在此規(guī)定,通過能夠預(yù)選的分配參數(shù)(A、B、C、D)定義預(yù)設(shè)的比例關(guān)系,其中,至少一個分配參數(shù)(A、C)是局部熱功率(P1、P2;P4、P5)的兩個數(shù)值之商。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于操作或處理基板的設(shè)備,其具有安置在處理室內(nèi)的基座,所述基座具有朝向所述處理室的用于容納至少一個基板的第一側(cè)和與所述第一側(cè)相背離的第二側(cè),所述第二側(cè)能夠被具有多個局部加熱裝置的加熱裝置加熱,并且所述設(shè)備還具有調(diào)節(jié)裝置,所述調(diào)節(jié)裝置的指令變量是基座溫度,所述基座溫度的調(diào)節(jié)量是通過測溫裝置測量的基座的實際溫度,并且所述基座溫度的調(diào)整參數(shù)是向所述加熱裝置供給的總熱功率Ptot的值。
本發(fā)明還涉及一種用于操作基板的方法,其中,至少一個基板安置在布置于處理室內(nèi)的基座的第一側(cè)上,其中,與所述第一側(cè)相背離的第二側(cè)被具有多個局部加熱裝置的加熱裝置加熱,其中,向所述加熱裝置供給的熱功率通過調(diào)節(jié)裝置被調(diào)節(jié),所述調(diào)節(jié)裝置的指令變量是基座溫度,所述基座溫度的調(diào)節(jié)量是通過測溫裝置測量的基座的實際溫度,并且所述基座溫度的調(diào)整參數(shù)是熱功率的值。
背景技術(shù)
US 2011/0143016 A1描述了一種具有兩個圍繞基座的輪廓軸線對中布置的局部加熱裝置,它們通過調(diào)節(jié)器被供給熱功率。基座圍繞其中心軸線被旋轉(zhuǎn)驅(qū)動。
US 2011/0259879 A1描述了一種用于操作基板的設(shè)備,其中,在基座的下方設(shè)有多個可電感加熱的局部加熱裝置。
US 6,746,908 B2描述了一種用于控制溫度的設(shè)備,其中,多個局部相鄰布置的并且相互熱力影響的加熱區(qū)域分別被電感地控制。溫度傳感器的數(shù)量多于加熱區(qū)域的數(shù)量。在EP 1 647 868 B1中,多個相互影響的加熱區(qū)域被獨自的加熱元件加熱。每個加熱區(qū)域配屬有溫度測量傳感器。各個加熱裝置相互干擾。干擾因素通過脫耦矩陣的構(gòu)成被補償。
WO 2011/022637 A1描述了一種加熱設(shè)備,其中基座具有燈,加熱設(shè)備通過電阻加熱裝置或電感加熱元件能夠被加熱。基座表面的溫度還按照高溫測量法被測量。
借助無線射頻線圈對基座加熱的設(shè)備還由US 2012/0148760 A1、US 2012/0193765 A1和US 2012/0067870 A1已知。
DE 10 2007 027 704 A1描述了一種前述類型的設(shè)備,其中,基座的多個區(qū)域可以通過獨自的局部加熱裝置被加熱,其中,局部加熱裝置由電阻絲構(gòu)成,電阻絲可以相互不同的接受功率。
DE 10 2012 101 717 A1描述了一種設(shè)備和方法,其中,每個單獨的局部加熱裝置被獨自的調(diào)節(jié)裝置控制。每個調(diào)節(jié)裝置獲得所選擇的溫度傳感器的實際值。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
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