[發(fā)明專利]半導(dǎo)體模塊有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480046107.8 | 申請日： | 2014-10-06 |
| 公開（公告）號： | CN105474386B | 公開（公告）日： | 2018-05-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 須永崇;金子昇;三好修;鈴木良一 | 申請（專利權(quán)）人： | 日本精工株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48;H01L21/60;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 李輝;黃綸偉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 接合面 焊錫 脫氣 半導(dǎo)體模塊 排出機構(gòu) 接合 金屬板連接器 電極接合部 基板接合部 布線圖案 電連接 裸芯片 柵電極 排出 熔融 焊接 | ||
1.一種半導(dǎo)體模塊，其被使用在電動助力轉(zhuǎn)向裝置中，其特征在于，
該半導(dǎo)體模塊具備：
金屬制的基板；形成于所述基板上的絕緣層；
形成于所述絕緣層上的多個布線圖案；
借助焊錫被安裝在所述多個布線圖案中的一個布線圖案上的裸芯片晶體管；以及
由金屬板構(gòu)成的金屬板連接器，其將形成于所述裸芯片晶體管的上表面的電極與所述多個布線圖案中的其他布線圖案接合，
所述金屬板連接器具備如下部分而呈橋形：
平板部；
電極接合部，其配置于所述平板部的一個方向的一端側(cè)，借助焊錫與所述裸芯片晶體管的電極接合；
基板接合部，其配置于所述平板部的所述一個方向的另一端側(cè)，借助焊錫與所述其他布線圖案接合；
第一連結(jié)部，其從所述平板部的所述一個方向的一端向下延伸，并且將所述平板部的所述一個方向的一端與所述電極接合部的一端連結(jié)；以及
第二連結(jié)部，其從所述平板部的所述一個方向的另一端向下延伸，并且將所述平板部的所述一個方向的另一端與所述基板接合部的一端連結(jié)，
所述電極接合部形成為從所述第一連結(jié)部被彎折而向所述一個方向的外側(cè)延伸，并且形成為，在與所述平板部垂直的方向上，所述電極接合部的一端與所述平板部的距離小于另一端與所述平板部的距離，所述電極接合部的接合面相對于所述裸芯片晶體管的電極的與該接合面對置的被接合面傾斜，
所述基板接合部形成為從所述第二連結(jié)部被彎折而向所述一個方向的外側(cè)延伸，并且形成為，在與所述平板部垂直的方向上，所述基板接合部的一端與所述平板部的距離小于另一端與所述平板部的距離，所述基板接合部的接合面相對于所述其他布線圖案的與該接合面對置的被接合面傾斜，
所述電極接合部的與所述裸芯片晶體管的電極的被接合面對置的接合面以及所述基板接合部的與所述其他布線圖案的被接合面對置的接合面具備脫氣排出機構(gòu)，該脫氣排出機構(gòu)使在所述金屬板連接器的焊接時熔融的焊錫中產(chǎn)生的脫氣通過如下方式從介于所述接合面與所述被接合面之間的焊錫中排出：使所述脫氣的氣泡沿著傾斜的所述接合面朝向斜上方移動，
所述金屬板連接器還具有如下的機構(gòu)：使在所述金屬板連接器的焊接時熔融的焊錫沿著所述第一連結(jié)部及所述第二連結(jié)部流動至所述平板部的下表面，所述脫氣的氣泡伴隨著該焊錫的流動而移動，由此將所述脫氣從介于所述接合面與所述被接合面之間的焊錫中排出，
所述電極接合部的接合面與所述裸芯片晶體管的電極的被接合面所成的傾斜角度及所述基板接合部的接合面與所述其他布線圖案的被接合面所成的傾斜角度為0.5°以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其中，
所述電極接合部的接合面與所述裸芯片晶體管的電極的被接合面所成的傾斜角度及所述基板接合部的接合面與所述其他布線圖案的被接合面所成的傾斜角度為7.5°以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體模塊，其中，
所述電極接合部的與所述一個方向垂直的方向上的寬度比所述基板接合部的與所述一個方向垂直的方向上的寬度窄。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任一項所述的半導(dǎo)體模塊，其中，
在所述平板部的與所述一個方向垂直的方向上的兩端分別形成有從該兩端向下彎折的平衡肋部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任一項所述的半導(dǎo)體模塊，其中，
所述電極接合部及所述基板接合部的厚度比所述金屬板連接器的其他部分的厚度大。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任一項所述的半導(dǎo)體模塊，其中，
所述平板部的厚度比所述金屬板連接器的其他部分的厚度大。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任一項所述的半導(dǎo)體模塊，其中，
對所述電極接合部的接合面或所述基板接合部的接合面實施了憎水性的表面處理。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任一項所述的半導(dǎo)體模塊，其中，
對所述電極接合部的接合面或所述基板接合部的接合面實施了防氧化處理。
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