[發(fā)明專利]制造光干涉儀的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480045789.0
• 申請日: 2014-07-31
• 公開（公告）號: CN105492879B
• 公開（公告）日: 2017-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鈴木智史;藁科禎久;笠森浩平;杉本達(dá)哉;伊藤穣
• 申請（專利權(quán)）人: 浜松光子學(xué)株式會社
• 主分類號: G01J3/45
• 分類號: G01J3/45;B81C1/00;G01B9/02
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11322
• 代理人: 楊琦

1.一種制造光干涉儀的方法，其特征在于，

包括：

在由硅構(gòu)成的支承基板的主面和形成在所述主面上的第一絕緣層上形成用于分束器的第一半導(dǎo)體部和用于可動鏡的第二半導(dǎo)體部的第一工序；

在所述第一半導(dǎo)體部中的所述第二半導(dǎo)體部側(cè)的第一側(cè)面與所述第二半導(dǎo)體部中的所述第一半導(dǎo)體部側(cè)的第二側(cè)面之間配置沿著所述主面延伸的第一壁部的第二工序；

使用蔭罩掩模在所述第二側(cè)面形成第一金屬膜，由此在所述第二半導(dǎo)體部形成鏡面的第三工序；和

在所述第三工序之后除去所述第一壁部的第四工序，

所述蔭罩掩模具有掩模部和設(shè)置于所述掩模部的第一開口部，

在所述第三工序中，在利用所述掩模部和所述第一壁部掩蔽所述第一側(cè)面并且使所述第二側(cè)面從所述第一開口部露出的狀態(tài)下形成所述第一金屬膜。

2.如權(quán)利要求1所述的制造光干涉儀的方法，其特征在于，

在所述第一工序中，利用形成在所述主面和所述第一絕緣層上的半導(dǎo)體層的蝕刻，形成所述第一和第二半導(dǎo)體部，并且將所述第一壁部形成在所述主面和所述第一絕緣層上來實施所述第二工序。

3.如權(quán)利要求2所述的制造光干涉儀的方法，其特征在于，

在所述第三工序中，將所述掩模部的背面與所述第一壁部的頂部接合，由此利用所述掩模部和所述第一壁部掩蔽所述第一側(cè)面。

4.如權(quán)利要求3所述的制造光干涉儀的方法，其特征在于，

在所述掩模部的所述背面，形成有沿著所述背面延伸的第二壁部，在所述第三工序中，將所述第二壁部的底部與所述第一壁部的頂部接合。

5.如權(quán)利要求3所述的制造光干涉儀的方法，其特征在于，

在所述掩模部的所述背面，形成有第二絕緣層，

在所述第三工序中，經(jīng)由所述第二絕緣層將所述掩模部的所述背面與所述第一壁部的所述頂部接合。

6.如權(quán)利要求4所述的制造光干涉儀的方法，其特征在于，

在所述掩模部的所述背面，形成有第二絕緣層，

在所述第三工序中，經(jīng)由所述第二絕緣層將所述掩模部的所述背面與所述第一壁部的所述頂部接合。

7.如權(quán)利要求1～6中任一項所述的制造光干涉儀的方法，其特征在于，

在所述第一工序中，在所述主面和所述第一絕緣層上形成用于偏轉(zhuǎn)鏡的第三半導(dǎo)體部，

在所述第二工序中，在所述第三半導(dǎo)體部中的所述第一半導(dǎo)體部側(cè)的第三側(cè)面與所述第一半導(dǎo)體部之間配置沿著所述主面延伸的第三壁部，

在所述第三工序中，使用所述蔭罩掩模在所述第三側(cè)面形成第二金屬膜，由此在所述第三半導(dǎo)體部形成鏡面，

所述蔭罩掩模具有形成于所述掩模部的第二開口部，

在所述第三工序中，在由所述掩模部和所述第三壁部掩蔽所述第一半導(dǎo)體部的所述第三半導(dǎo)體部側(cè)的側(cè)面，并且使所述第三側(cè)面從所述第二開口部露出的狀態(tài)下形成所述第二金屬膜。