[發明專利]光伏裝置及制作方法

在審

• 申請號: 201480045027.0
• 申請日: 2014-05-02
• 公開（公告）號: CN105706246A
• 公開（公告）日: 2016-06-22
• 發明（設計）人: H·A·布拉德斯;K·W·安德雷尼;W·H·胡伯;E·T·欣納斯;J·J·斯安格;Y·梁;J·蔡;A·F·哈維森
• 申請（專利權）人: 第一陽光公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0296;H01L31/065;H01L31/073;H01L31/18
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 姜冰;王傳道

1.一種光伏裝置，包括：

層疊；以及

吸收體層，安置在所述層疊上，其中所述吸收體層包括硒，且其中 硒的原子濃度跨所述吸收體層的厚度非線性變化。

2.如權利要求1所述的光伏裝置，其中所述硒的原子濃度跨所述吸 收體層的厚度非單調地變化。

3.如權利要求1所述的光伏裝置，其中所述吸收體層中的硒的原子 濃度具有包括指數分布、頂帽分布、階躍改變分布、鋸齒分布、方波分 布、冪律分布或其組合的分布。

4.如權利要求1所述的光伏裝置，其中所述吸收體層包括第一區域 和第二區域，所述第一區域安置成相對于所述第二區域接近所述層疊， 以及

其中，所述第一區域中硒的平均原子濃度大于所述第二區域中硒的 平均原子濃度。

5.如權利要求1所述的光伏裝置，其中所述吸收體層包括第一區域 和第二區域，所述第一區域安置成相對于所述第二區域接近所述層疊， 以及

其中，所述第一區域中硒的平均原子濃度低于所述第二區域中硒的 平均原子濃度。

6.如權利要求1所述的光伏裝置，其中所述吸收體層包括第一區域 和第二區域，所述第一區域安置成相對于所述第二區域接近所述層疊， 以及

其中，所述第一區域具有比所述第二區域的帶隙更低的帶隙。

7.如權利要求1所述的光伏裝置，其中所述吸收體層還包括鎘和 碲。

8.如權利要求7所述的光伏裝置，其中所述吸收體層還包括硫、氧、 銅、氯或其組合。

9.如權利要求1所述的光伏裝置，其中在所述吸收體層中，至少部 分硒以三元化合物、四元化合物或其組合的形式存在。

10.如權利要求1所述的光伏裝置，其中所述吸收體層包括多個層， 且其中硒的濃度跨所述多個層變化。

11.如權利要求1所述的光伏裝置，其中所述層疊包括：

安置在支撐件上的透明傳導層；以及

安置在所述透明傳導層和所述吸收體層之間的緩沖層。

12.如權利要求11所述的光伏裝置，其中所述層疊還包括安置在所 述緩沖層和所述吸收體層之間的中間層。

13.如權利要求11所述的光伏裝置，其中所述層疊還包括安置在所 述緩沖層和所述吸收體層之間的窗口層。

14.如權利要求13所述的光伏裝置，其中所述窗口層包括硫化鎘、 氧化硫化鎘、硫化鋅、硫化鎘鋅、硒化鎘、硒化銦、硫化銦或其組合。

15.如權利要求1所述的光伏裝置，其中所述裝置基本沒有硫化鎘 層。

16.一種光伏裝置，包括：

層疊，包括：

安置在支撐件上的透明傳導氧化物層、安置在所述透明傳導 氧化物層上的緩沖層和安置在所述緩沖層上的窗口層；以及

吸收體層，安置在所述層疊上，其中所述吸收體層包括硒， 以及其中硒的原子濃度跨所述吸收體層的厚度非線性變化。

17.一種制作光伏裝置的方法，包括：

提供層疊上的吸收體層，其中所述吸收體層包括硒，以及其中硒的 原子濃度跨所述吸收體層的厚度非線性變化。

18.如權利要求17所述的方法，其中所述硒的原子濃度跨所述吸收 體層的厚度非單調地變化。

19.如權利要求17所述的方法，其中提供吸收體層的步驟包括采用 硒源與半導體材料接觸。

20.如權利要求19所述的方法，其中所述硒源包括元素硒、硒化鎘、 硒化氫、有機金屬硒或其組合。

21.如權利要求19所述的方法，其中所述半導體材料包括鎘和碲。