[發明專利]氧化鈰?氧化鋯系復合氧化物及其制造方法、以及包含氧化鈰?氧化鋯系復合氧化物的尾氣凈化催化劑

有效

• 申請號: 201480044979.0
• 申請日: 2014-08-05
• 公開（公告）號: CN105451878B
• 公開（公告）日: 2017-11-10
• 發明（設計）人: 森川彰;小西佳恵;田辺稔貴;須田明彥;三浦真秀;鎮西勇夫;鈴木宏昌;千葉明哉;飯塚光祐
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社;株式會社科特拉
• 主分類號: B01J23/10
• 分類號: B01J23/10;C01G25/00;C04B35/486
• 代理公司: 北京奉思知識產權代理有限公司11464
• 代理人: 吳立,鄒軼鮫

1.一種氧化鈰-氧化鋯系復合氧化物，其特征在于，包含含有氧化鈰和氧化鋯的復合氧化物，其中，

基于顆粒數量，所述氧化鈰-氧化鋯系復合氧化物中的粒徑為1.5～4.5μm的一次顆粒占所述復合氧化物中全部一次顆粒的50％以上，并且所述氧化鈰-氧化鋯系復合氧化物中鈰與鋯的含量比率([鈰]:[鋯])以摩爾比計在43:57～55:45的范圍內；并且

在1,100℃的溫度條件下在空氣中加熱5小時并且其后通過使用CuKα的X射線衍射測定所獲得的所述氧化鈰-氧化鋯系復合氧化物的X射線衍射圖譜中，2θ為14.5°處的衍射線與2θ為29°處的衍射線的強度比{I(14/29)值}以及2θ為28.5°處的衍射線與2θ為29°處的衍射線的強度比{I(28/29)值}滿足以下條件：I(14/29)≥0.015并且I(28/29)≤0.08。

2.根據權利要求1所述的氧化鈰-氧化鋯系復合氧化物，其中，基于顆粒數量，所述氧化鈰-氧化鋯系復合氧化物中的粒徑小于1.5μm的一次顆粒占所述復合氧化物中全部一次顆粒的40％以下。

3.根據權利要求1所述的氧化鈰-氧化鋯系復合氧化物，其中，基于顆粒數量，所述氧化鈰-氧化鋯系復合氧化物中的粒徑小于1.5μm的一次顆粒占所述復合氧化物中全部一次顆粒的20％以下。

4.根據權利要求1所述的氧化鈰-氧化鋯系復合氧化物，其中，基于顆粒數量，所述氧化鈰-氧化鋯系復合氧化物中的粒徑小于1.5μm的一次顆粒占所述復合氧化物中全部一次顆粒的10％以下。

5.根據權利要求1至4的任一項所述的氧化鈰-氧化鋯系復合氧化物，其中，基于顆粒數量，所述氧化鈰-氧化鋯系復合氧化物中的粒徑為1.5～4.5μm的一次顆粒占所述復合氧化物中全部一次顆粒的70％以上。

6.根據權利要求1至4的任一項所述的氧化鈰-氧化鋯系復合氧化物，其中，基于顆粒數量，所述氧化鈰-氧化鋯系復合氧化物中的粒徑為1.5～4.5μm的一次顆粒占所述復合氧化物中全部一次顆粒的80％以上。

7.一種氧化鈰-氧化鋯系復合氧化物的制造方法，所述氧化鈰-氧化鋯系復合氧化物包含含有氧化鈰和氧化鋯的復合氧化物，

該方法的特征在于，包括：

提供鈰與鋯的含量比率([鈰]:[鋯])以摩爾比計在43:57～55:45的范圍內的氧化鈰-氧化鋯系固溶體粉末；

在1,500～3,500kgf/cm²的壓力下加壓成型所述氧化鈰-氧化鋯系固溶體粉末；

對氧化鈰-氧化鋯系固溶體粉末壓塊進行第一還原處理，該第一還原處理包括在1,400～1,550℃的溫度下在還原條件下熱處理0.5～24小時；以及

對所述第一還原處理的氧化鈰-氧化鋯系固溶體粉末壓塊進行第二還原處理，該第二還原處理包括在1,600～2,000℃并且比所述第一還原處理的溫度高100℃以上的溫度下、在還原條件下熱處理0.5～5小時，從而獲得根據權利要求1至6的任一項所述的氧化鈰-氧化鋯系復合氧化物。

8.根據權利要求7所述的氧化鈰-氧化鋯系復合氧化物的制造方法，還包括，在所述第二還原處理之后，對所述氧化鈰-氧化鋯系復合氧化物進行氧化處理。

9.一種尾氣凈化催化劑，其特征在于，包含根據權利要求1至6的任一項所述的氧化鈰-氧化鋯系復合氧化物。