[發明專利]用于半導體制造過程和/或方法的化學組合物、使用其制得的裝置

有效

• 申請號: 201480044412.3
• 申請日: 2014-06-10
• 公開（公告）號: CN105453238B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 霍里亞·M·福爾;瑪麗亞·福爾;米爾恰·福爾
• 申請（專利權）人: 斯派克邁特股份有限公司
• 主分類號: H01L21/335
• 分類號: H01L21/335
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟;楊生平

1.一種RTWCG組合物，其包含：

(A)含碘的化合物；所述含碘的化合物包含HIO₃；

(B)含HF的第一酸；

(C)含HCl的第二非氧化性酸；及

(D)水，

其中所述組合物包含A重量％的所述含碘的化合物(A)、B重量％的所述第一酸(B)、C重量％的所述第二非氧化性酸(C)及D重量％的水，其中A、B、C及D的和為100，

其中所述含碘的化合物(A)以0.01重量％至0.4重量％存在，并且

其中所述第一酸(B)以0.1重量％至8.2重量％存在，并且

其中C為1重量％至50重量％，且D為剩余部分。

2.如權利要求1的組合物，其中A為0.1317±0.1重量％。

3.如權利要求1的組合物，其中C為25.00±12重量％。

4.如權利要求1的組合物，其中B小于7重量％。

5.如權利要求1的組合物，其中B對C的比率為4:1至1:20。

6.如權利要求5的組合物，其中B對C的比率為1:4.3860±2.5。

7.如權利要求1的組合物，其中所述含碘的化合物為HIO₃，其以0.02g/L至0.8g/L的量存在。

8.如權利要求7的組合物，其中所述HIO₃以0.5±0.15g/L的量存在。

9.如權利要求1的組合物，其中所述HIO₃以1.5±0.5g/L的量存在。

10.如權利要求1的組合物，其中所述組合物基本上不含硅。

11.如權利要求1的組合物，其中所述組合物是一種低HF濃度的RTWCG組合物，其中所述低HF濃度的組合物中的HF濃度為0.7重量％±0.2重量％。

12.如權利要求1的組合物，其中所述組合物是一種高HF濃度的組合物，其中所述高HF濃度的組合物包含至少1.1重量％±0.2重量％的HF濃度。

13.一種稀釋水溶液，其包含如權利要求1的組合物及水。

14.如權利要求13的稀釋水溶液，其中所述稀釋水溶液包含比率為1:4至1:26的如權利要求1的組合物及水。

15.如權利要求14的溶液，其中B對C的比率為4:1至1:20。

16.如權利要求15的溶液，其中B對C的比率為1:4.3860±2.5。