[發明專利]具有增強的熱均勻性特征的改良晶圓載體

有效

• 申請號: 201480043562.2
• 申請日: 2014-06-05
• 公開（公告）號: CN105453223B
• 公開（公告）日: 2019-09-27
• 發明（設計）人: 埃里克·阿莫;桑迪普·克利希南;亞歷克斯·張;博揚·米特洛維奇;亞歷山大·古雷利
• 申請（專利權）人: 維易科儀器有限公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L21/324
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 陳煒

1.一種晶圓載體組件，用在通過化學氣相沉積(CVD)在一個或多個晶圓上生長外延層的系統中，所述晶圓載體組件包括：

關于中心軸線對稱形成的晶圓載體主體，包括垂直于所述中心軸線、大體為平面的頂面，和平行于所述頂面、為平面的底面；

在所述晶圓載體主體中的至少一個晶圓保持區，至少一個晶圓保持區中的每一個包括穿過所述晶圓載體主體的穿孔，所述穿孔從所述頂面延伸穿過所述底面，并且所述穿孔由所述晶圓載體主體的內周緣表面界定，所述晶圓保持區還包括凹陷在所述頂面之下并沿著所述內周緣表面的支架，所述支架適于在繞所述中心軸線旋轉時將晶圓保持在所述晶圓保持區內；和

至少一個熱控制特征，其包括在所述晶圓載體主體中形成的內部空腔，所述內部空腔由所述內周緣表面界定，其中所述至少一個熱控制特征是在所有側部被所述晶圓載體主體封閉的內部空腔，并且其中，所述內部空腔的熱導率低于所述晶圓載體主體的熱導率。

2.根據權利要求1所述的晶圓載體組件，還包括：

由熱導率低于所述晶圓載體主體的熱導率的材料制成的支撐環，所述支撐環位于所述支架上，并設置成將晶圓與所述內周緣表面隔離。

3.根據權利要求1所述的晶圓載體組件，其中所述穿孔在所述底面上的開口比在所述頂面上的開口大，并且其中所述內周緣表面具有截頭圓錐形式。

4.一種晶圓載體組件，用在通過化學氣相沉積(CVD)在一個或多個晶圓上生長外延層的系統中，所述晶圓載體組件包括：

關于中心軸線對稱形成的晶圓載體主體，包括垂直于所述中心軸線、大體為平面的頂面，和平行于所述頂面、為平面的底面；

從所述頂面凹陷在所述晶圓載體主體中的至少一個晶圓保持袋，至少一個晶圓保持袋中的每一個包括底表面和周緣壁表面，所述周緣壁表面圍繞所述底表面并界定那個晶圓保持袋的周緣，所述晶圓保持袋適于在繞所述中心軸線旋轉時將晶圓保持在所述周緣內；

至少一個熱控制特征，其包括在所述晶圓載體主體中形成的內部空腔，所述內部空腔由所述晶圓載體主體的內表面界定，所述內部空腔由所述頂面和所述底表面中的至少一個以及所述底面封閉；以及

至少一個由溝槽界定的熱控制特征，其熱導率低于所述晶圓載體主體的熱導率。

5.根據權利要求4所述的晶圓載體組件，其中所述至少一個熱控制特征位于所述底面與所述頂面之間，但不在所述底面與所述底表面之間。

6.根據權利要求4所述的晶圓載體組件，其中所述至少一個熱控制特征包括氣體。

7.根據權利要求4所述的晶圓載體組件，其中所述至少一個熱控制特征具有沿平行于所述中心軸線的軸線界定的高度，和垂直于所述中心軸線界定的寬度，并且其中所述至少一個熱控制特征的所述寬度大于所述高度。

8.根據權利要求4所述的晶圓載體組件，其中所述至少一個熱控制特征在所有側面由所述晶圓載體主體封閉。

9.根據權利要求4所述的晶圓載體組件，其中所述至少一個熱控制特征包括多層固體材料。

10.根據權利要求4所述的晶圓載體組件，其中所述至少一個熱控制特征包括允許氣體流動的通道，所述通道包括向所述晶圓載體主體的外部敞開的第一開口和第二開口。