[發明專利]導電跡線和形成導電跡線的方法

有效

• 申請號: 201480042587.0
• 申請日: 2014-07-22
• 公開（公告）號: CN105432154B
• 公開（公告）日: 2018-08-07
• 發明（設計）人: 喬治·E·薩科斯克;菲爾·毛特蘭德;迪特里?！な菲?/a>;弗蘭克·沃爾特;羅伯特·P·布隆斯基;斯里尼瓦桑·斯里達蘭
• 申請（專利權）人: 費羅公司
• 主分類號: H05K3/10
• 分類號: H05K3/10;H05K3/38
• 代理公司: 北京市萬慧達律師事務所 11111
• 代理人: 吳曉輝;王蕊

1.一種燒制的導電跡線，其包括：

與襯底粘合的界面層，

在所述界面層上的導電層，和

覆蓋所述導電層的氧化還原控制層；

其中所述界面層和所述氧化還原控制層防止所述導電層暴露于大氣中，并且其中將氧化還原控制層用作犧牲層。

2.根據權利要求1所述的導電跡線，其中所述導電層包括選自由銅、鋁、鎳、錫、鎢、鋅、鐵、銀、鋼及其組合組成的組的金屬。

3.根據權利要求1所述的導電跡線，其中：

如果所述襯底包含玻璃或陶瓷，則所述界面層包含玻璃熔塊，

如果所述襯底包含金屬，則所述界面層包含介電材料，并且

如果所述襯底包含聚合物，則所述界面層包含硅烷基粘附促進劑。

4.根據權利要求3所述的導電跡線，其中所述襯底包含玻璃或陶瓷，且所述界面層包含硼硅酸鹽玻璃熔塊。

5.根據權利要求1所述的導電跡線，其中：

所述界面層包括具有所述導電層與所述襯底之間的熱膨脹系數的一種或多種膨脹改性劑，并且

其中所述膨脹改性劑選自由堇青石、β-鋰霞石、石英、氧化鋯、氧化鋁、尖晶石、金屬、硅酸鋅、硅酸鎂、硅酸鋇、硅酸鍶、硅酸鋁鋇、硅酸鋁鍶、硅酸鋁鋰、硅酸鋯、硅酸鎂鋇、硅酸鈦鋇、二氧化硅、二氧化鈦及其組合組成的組。

6.根據權利要求1所述的導電跡線，其中所述界面層包括銀遷移控制添加劑，所述銀遷移控制添加劑選自由硅、鐵、鋅、含硫玻璃熔塊及其組合組成的組。

7.根據權利要求1所述的導電跡線，其中所述界面層包括選自由硼硅酸鹽玻璃熔塊、二氧化硅、氧化鋯、氧化鋁、二氧化鈦基化合物及其組合組成的組的介電材料。

8.根據權利要求1所述的導電跡線，其還在所述氧化還原控制層上包括貴金屬層，其中所述貴金屬層包括選自由銀、金、鉑、鈦、銠、鈀、鋨、銥、錸、釕、鍺、鈹、鎵、銦、碲、汞、鉍及其組合組成的組中的一種。

9.根據權利要求8所述的導電跡線，其還在所述貴金屬層上包括介電層，其中所述介電層包括選自由瓷器、玻璃、聚合物及其組合組成的組中的一種。

10.根據權利要求8所述的導電跡線，其中所述貴金屬層通過所述氧化還原控制層的一個或多個孔洞與所述導電層電連通。

11.根據權利要求9所述的導電跡線，其中：

所述界面層以至多10體積％存在，

所述導電層以40至90體積％存在，

所述氧化還原控制層以至多20體積％存在，

所述貴金屬層以至多15體積％存在，并且

所述介電層以至多15體積％存在。

12.根據權利要求10所述的導電跡線，其中界面層和介電層兩者或其中之一包括選自由CuCr、CuCrMn、FeCrCo、TiO₂、NiCrFe、FeCo、FeMn及其組合組成的組的無機顏料。

13.一種在襯底上形成導電跡線的方法，其包括：

使界面層粘合到襯底的表面，所述界面層由界面材料形成，

在所述界面層上由導電材料形成導電層，其中所述導電層具有暴露部分，

將氧化還原控制材料層接到所述導電層上，從而形成覆蓋所述導電層的暴露部分的氧化還原控制層，

其中所述界面層和所述氧化還原控制層防止所述導電層暴露于存在于環境中的氧中，并且其中將氧化還原控制層用作犧牲層。