[發(fā)明專利]具有去耦合的電容器的非對(duì)稱密集非易失性存儲(chǔ)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480042080.5
• 申請(qǐng)日: 2014-07-15
• 公開（公告）號(hào): CN105474383B
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·E·霍奇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美商新思科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8239
• 分類號(hào): H01L21/8239;H01L27/105
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種非易失性存儲(chǔ)器位單元，包括：

隧穿器件，包括：

在襯底的第一有源區(qū)上方的浮置柵極的第一部分，

在所述浮置柵極的所述第一部分下方的所述第一有源區(qū)的部分，所述第一有源區(qū)是包括輕摻雜漏極(LDD)注入物的原生區(qū)域，所述輕摻雜漏極注入物在所述浮置柵極的所述第一部分下方的所述第一有源區(qū)的所述部分中與其自身交疊，以及

在所述第一有源區(qū)的所述部分與所述浮置柵極的所述第一部分之間的第一絕緣層，

所述隧穿器件被配置成響應(yīng)于向所述第一有源區(qū)施加電壓而引起電荷載流子在所述第一有源區(qū)與所述浮置柵極的所述第一部分之間過(guò)渡；

晶體管，包括源極、漏極、以及在所述襯底的第二有源區(qū)上方的所述浮置柵極的第二部分，所述源極和所述漏極形成在所述第二有源區(qū)中，

其中所述源極和所述漏極均包括第一極性的第一注入物，

其中所述源極包括與所述第一極性相反的第二極性的第二注入物，以及

其中所述漏極不包括所述第二極性的注入物；

電容器，包括第一極板、第二極板、以及在所述第一極板與所述第二極板之間的第二絕緣層，所述第一極板包括在所述襯底的第三有源區(qū)上方的所述浮置柵極的第三部分，并且所述第二極板包括在所述浮置柵極的所述第三部分下方的所述第三有源區(qū)的部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器位單元，其中所述隧穿器件為福勒-諾德海姆(FN)隧穿器件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器位單元，其中響應(yīng)于向所述晶體管的源極、所述晶體管的漏極和所述第三有源區(qū)施加第一電壓集合，電子從所述第二有源區(qū)向所述浮置柵極的所述第二部分轉(zhuǎn)移以對(duì)所述位單元編程。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非易失性存儲(chǔ)器位單元，其中響應(yīng)于向所述晶體管的源極、所述晶體管的漏極和所述第三有源區(qū)施加第二電壓集合，讀取在所述浮置柵極上的電荷的量。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器位單元，其中所述第一有源區(qū)、所述第二有源區(qū)和所述第三有源區(qū)彼此電隔離。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的非易失性存儲(chǔ)器位單元，其中所述第一有源區(qū)、所述第二有源區(qū)和所述第三有源區(qū)使用淺溝槽隔離來(lái)分離。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器位單元，其中所述第一有源區(qū)在所述浮置柵極的沉積之前是來(lái)自原始晶片的未摻雜的原生區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器位單元，其中所述第一有源區(qū)包括在所述浮置柵極的所述第一部分下方延伸的電荷載流子注入物。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器位單元，其中在所述第一有源區(qū)之上的所述浮置柵極的所述第一部分的寬度在0.04微米和0.2微米之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器位單元，其中所述隧穿器件被配置成在所述第一有源區(qū)上升到10伏特時(shí)防止所述第一有源區(qū)中的二極管擊穿行為。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器位單元，其中所述第二有源區(qū)包括電荷載流子的阱注入物。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器位單元，其中所述源極的所述第二注入物包括P型暈圈注入物，以及所述源極的所述第一注入物包括N型輕摻雜漏極(LDD)注入物或者源極漏極(S/D)延伸注入物。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的非易失性存儲(chǔ)器位單元，其中所述源極的所述第二注入物還包括P型LDD注入物。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器位單元，其中所述漏極的所述第一注入物包括N型LDD注入物。