[發明專利]計量學目標的極化測量及對應的目標設計有效
| 申請號: | 201480041321.4 | 申請日: | 2014-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN105408721B | 公開(公告)日: | 2020-01-10 |
| 發明(設計)人: | 依蘭·阿米特;巴瑞·羅維斯凱;安德魯·希爾;阿姆農·瑪納森;努里爾·阿米爾;弗拉基米爾·萊溫斯基;羅伊·弗克維奇 | 申請(專利權)人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分類號: | G01B11/00 | 分類號: | G01B11/00;G01B11/24;G01N21/88;H01L21/66 |
| 代理公司: | 11287 北京律盟知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 張世俊 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 計量學 目標 極化 測量 對應 設計 | ||
本發明提供目標、目標元件及目標設計方法,其包括將目標結構設計為具有相對于其在極化光中的背景的高于特定對比度閾值的高對比度,同時具有相對于其在非極化光中的背景的低于所述特定對比度閾值的低對比度。所述目標可具有裝置特征級的細節且可與裝置設計規則兼容,在結合極化照明測量時仍維持光學對比度且因此被有效用作計量學目標。同樣提供設計變型及相應測量光學系統。
本申請案主張2013年6月27日申請的第61/840,339號及2013年12月13日申請的第61/916,018號美國臨時專利申請案的權益,其全文以引用的方式并入本文中。
技術領域
本發明涉及計量學的領域,且更特定地說涉及計量學目標。
背景技術
計量學目標經設計以實現參數的測量,所述參數指示晶片制作步驟的質量且量化晶片上的結構的設計與實施之間的對應性。作為特定結構的計量學目標優化針對裝置類似性及光學可測量性的要求。目標與半導體制造設計規則的相符促進目標的準確制作但可減小目標的光學可測量性。
發明內容
本發明的一方面提供一種方法,其包括將目標結構設計為具有相對于其在極化光中的背景的高于特定對比度閾值的高對比度,同時具有相對于其在非極化光中的背景的低于特定對比度閾值的低對比度。
本發明的此類、額外及/或其它方面及/或優點闡述在下文詳細描述中;可能可從詳細描述中推斷;及/或可通過本發明的實踐學習。
附圖說明
為了更好地了解本發明的實施例及為了展示其可如何實施,現將單純舉例來參考附圖,其中全文中相同數字指示相應元件或區段。
在附圖中:
圖1A及1B是根據現有技術的目標元件的高級示意圖。
圖2是根據本發明的一些實施例的目標結構及其背景(作為計量學目標元件的部分)的高級示意圖。
圖3A到3C是根據本發明的一些實施例的經設計以在極化照明中具有對比度的目標的高級示意圖。
圖4A及4B是根據本發明的一些實施例的目標中的分段修改的高級示意圖。
圖4C是根據本發明的一些實施例的在極化光及非極化光中的連續及分段背景上的分段目標結構的測量的模擬結果的示意圖,其說明前者的好得多的對比度。
圖5A到5F是根據本發明的一些實施例的通過利用由極化光的測量而維持對比度的工藝兼容目標設計的高級示意圖。
圖6A到6M是根據本發明的一些實施例的光學照明及測量系統的高級示意圖。
圖7是根據本發明的一些實施例的說明一種方法的高級流程圖。
具體實施方式
在闡述詳細描述之前,闡述將在下文中使用的特定術語的定義可能有幫助。
如在本申請案中使用的術語“計量學目標”或“目標”被定義為設計或制作在晶片上用于計量學目的的結構。計量學目標的非限制性實例是成像目標,例如AIM(高級成像計量學)、BiB(框中框)、AIMid及BLOSSOM及其對應變型及替代;及散射測量目標,例如SCOL(散射測量覆蓋)及其對應變型及替代。術語“目標元件”在本申請案中用于指完整目標的部分,其根據所揭示的原理設計。因此,任意目標元件可即刻用于設計完整目標;因此,目標在本申請案中相對于其目標元件設計引用且可與其互換。
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