[發明專利]接合體及功率模塊用基板有效
| 申請號： | 201480041129.5 | 申請日： | 2014-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN105393348B | 公開（公告）日： | 2018-05-29 |
| 發明（設計）人： | 寺崎伸幸;長友義幸 | 申請（專利權）人： | 三菱綜合材料株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/13 | 分類號： | H01L23/13;B23K35/30;C04B37/02;H01L23/12;H01L23/36;H05K1/02;H05K3/20;H05K3/38;C22C9/00;C22C9/02;C22C9/06 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陶瓷部件 接合體 金屬間化合物層 功率模塊 接合界面 接合 固溶 陶瓷 | ||
1.一種接合體，由陶瓷構成的陶瓷部件與由Cu或Cu合金構成的Cu部件通過Cu-P-Sn系釬料及Ti材接合而成，其中，
在所述陶瓷部件與所述Cu部件的接合界面形成有：
位于所述陶瓷部件側且Sn固溶于Cu中的Cu-Sn層；及
位于所述Cu部件與所述Cu-Sn層之間的Ti層，
在所述Cu部件與所述Ti層之間形成有由Cu和Ti構成的第一金屬間化合物層，
在所述Cu-Sn層與所述Ti層之間形成有含P的第二金屬間化合物層，
所述Cu-P-Sn系釬料中含有3質量％以上10質量％以下的P和0.5質量％以上25質量％以下的Sn，
所述第一金屬間化合物層的厚度在0.5μm以上10μm以下，
所述Ti層的厚度為1μm以上15μm以下。
2.一種功率模塊用基板，其中，
所述功率模塊用基板由權利要求1所述的接合體構成，
所述功率模塊用基板具備：陶瓷基板，由所述陶瓷部件構成；及電路層，在該陶瓷基板的第一面通過Cu-P-Sn系釬料及Ti材接合由所述Cu部件構成的Cu板而成，
在所述陶瓷基板與所述電路層的接合界面形成有：
位于所述陶瓷基板側且Sn固溶于Cu中的Cu-Sn層；及
位于所述電路層與所述Cu-Sn層之間的Ti層，
在所述電路層與所述Ti層之間形成有由Cu和Ti構成的第一金屬間化合物層，
在所述Cu-Sn層與所述Ti層之間形成有含P的第二金屬間化合物層，
所述Cu-P-Sn系釬料中含有3質量％以上10質量％以下的P和0.5質量％以上25質量％以下的Sn，
所述第一金屬間化合物層的厚度在0.5μm以上10μm以下，
所述Ti層的厚度為1μm以上15μm以下。
3.根據權利要求2所述的功率模塊用基板，其中，
在所述陶瓷基板的第二面形成有金屬層。
4.根據權利要求3所述的功率模塊用基板，其中，
所述金屬層在所述陶瓷基板的第二面通過Cu-P-Sn系釬料及Ti材接合由Cu或Cu合金構成的Cu板而成，
在所述陶瓷基板與所述金屬層的接合界面形成有：
位于所述陶瓷基板側且Sn固溶于Cu中的Cu-Sn層；及
位于所述金屬層與所述Cu-Sn層之間的Ti層，
在所述金屬層與所述Ti層之間形成有由Cu和Ti構成的第一金屬間化合物層，
在所述Cu-Sn層與所述Ti層之間形成有含P的第二金屬間化合物層。
5.根據權利要求3所述的功率模塊用基板，其中，
所述金屬層由Al或Al合金構成。
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