[發明專利]用于工藝環上的稀土氧化物基薄膜涂層的離子輔助沉積有效
| 申請號: | 201480040772.6 | 申請日: | 2014-07-15 |
| 公開(公告)號: | CN105378900B | 公開(公告)日: | 2018-10-09 |
| 發明(設計)人: | J·Y·孫;B·P·卡農戈;V·菲魯茲多爾;Y·張 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/3065 | 分類號: | H01L21/3065;H01L21/683;H01L21/02 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 黃嵩泉 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 工藝 稀土 氧化物 薄膜 涂層 離子 輔助 沉積 | ||
1.一種用于蝕刻反應器的腔室部件,包括:
環形主體,所述環形主體包括氧化物基陶瓷、氮化物基陶瓷或碳化物基陶瓷中的至少一者,其中所述環形主體是包括頂部平坦區域、環內側和環外側的燒結陶瓷體,其中所述環內側包括大致豎直壁;以及
保護層,所述保護層在所述環形主體的至少所述頂部平坦區域、所述環內側和所述環外側上,其中,所述保護層是包含抗等離子體的稀土氧化物的共形層,具有小于1%的孔隙度,具有小于6微英寸的平均表面粗糙度,并且在所述頂部平坦區域上具有小于300微米的第一厚度且在所述環內側的所述大致豎直壁上具有第二厚度,其中所述第二厚度是所述第一厚度的45-70%。
2.如權利要求1所述的腔室部件,其中,所述保護層包括以下各項中的至少一者:Y3Al5O12、Y4Al2O9、Er2O3、Gd2O3、Er3Al5O12、Gd3Al5O12、YF3、Nd2O3、Er4Al2O9、ErAlO3、Gd4Al2O9、GdAlO3、Nd3Al5O12、Nd4Al2O9、NdAlO3、或包含Y4Al2O9與Y2O3-ZrO2固溶體的陶瓷化合物。
3.如權利要求1所述的腔室部件,其中,所述保護層具有5微米至15微米的厚度。
4.如權利要求1所述的腔室部件,其中,所述保護層包括包含Y4Al2O9與Y2O3-ZrO2固溶體的陶瓷化合物,其中,所述陶瓷化合物具有選自由下列各項組成的列表的組分:
40~100摩爾%的Y2O3、0~60摩爾%的ZrO2以及0~10摩爾%的Al2O3;
40~60摩爾%的Y2O3、30~50摩爾%的ZrO2以及10~20摩爾%的Al2O3;
40~50摩爾%的Y2O3、20~40摩爾%的ZrO2以及20~40摩爾%的Al2O3;
70~90摩爾%的Y2O3、0~20摩爾%的ZrO2以及10~20摩爾%的Al2O3;
60~80摩爾%的Y2O3、0~10摩爾%的ZrO2以及20~40摩爾%的Al2O3;以及
40~60摩爾%的Y2O3、0~20摩爾%的ZrO2以及30~40摩爾%的Al2O3。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于應用材料公司,未經應用材料公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201480040772.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





