[發明專利]放射線攝像裝置和放射線攝像顯示系統有效
| 申請號： | 201480039175.1 | 申請日： | 2014-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN105359272A | 公開（公告）日： | 2016-02-24 |
| 發明（設計）人： | 山田泰弘 | 申請（專利權）人： | 索尼公司 |
| 主分類號： | H01L27/144 | 分類號： | H01L27/144;G01T1/20;G01T1/24;G01T7/00;H01L27/146;H01L29/786;H04N5/32;H04N5/374 |
| 代理公司： | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人： | 付生輝;張雪梅 |
| 地址： | 日本國東*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 放射線 攝像 裝置 顯示 系統 | ||
1.一種放射線攝像裝置，其包括：
多個像素，其基于放射線產生信號電荷；和
場效應晶體管，其用于從所述多個像素讀出所述信號電荷，
所述晶體管包括：
從襯底側依次堆疊的第一氧化硅膜、包括有源層的半導體層、和第二氧化硅膜，和
設置為中間隔著所述第一和第二氧化硅膜之一面對所述半導體層的第一柵電極，并且
所述第二氧化硅膜的厚度等于或者大于所述第一氧化硅膜的厚度。
2.根據權利要求1所述的放射線攝像裝置，其中，所述晶體管從所述襯底側依次包括所述第一氧化硅膜、所述半導體層、所述第二氧化硅膜和所述第一柵電極。
3.根據權利要求2所述的放射線攝像裝置，其中，在所述第二氧化硅膜和所述第一柵電極之間設置有具有比所述第二氧化硅膜的厚度更大厚度的氮化硅膜。
4.根據權利要求3所述的放射線攝像裝置，其中，所述氮化硅膜的厚度為10nm或更大。
5.根據權利要求1所述的放射線攝像裝置，其中，所述第一和第二氧化硅膜的總厚度是65nm或更小。
6.根據權利要求1所述的放射線攝像裝置，其中，所述晶體管從所述襯底側依次包括所述第一柵電極、所述第一氧化硅膜、所述半導體層和所述第二氧化硅膜。
7.根據權利要求6所述的放射線攝像裝置，其中，在所述第二氧化硅膜上設置有具有比所述第二氧化硅膜的厚度更大厚度的氮化硅膜。
8.根據權利要求7所述的放射線攝像裝置，其中，所述氮化硅膜的厚度為10nm或更大。
9.根據權利要求1所述的放射線攝像裝置，其中，
所述晶體管從襯底側依次包括所述第一柵電極、所述第一氧化硅膜、所述半導體層和所述第二氧化硅膜，并且
所述晶體管在所述第二氧化硅膜上包括第二柵電極以面對所述第一柵電極。
10.根據權利要求9所述的放射線攝像裝置，其中，在所述第二氧化硅膜和所述第一柵電極之間設置有具有比所述第二氧化硅膜的厚度更大厚度的氮化硅膜。
11.根據權利要求10所述的放射線攝像裝置，其中，所述氮化硅膜的厚度為10nm或更大。
12.根據權利要求1所述的放射線攝像裝置，其中，所述半導體層包括多晶硅、微晶硅、非晶硅和氧化物半導體之一。
13.根據權利要求12所述的放射線攝像裝置，其中，所述半導體層包括低溫多晶硅。
14.根據權利要求1所述的放射線攝像裝置，還包括在所述多個像素的光進入側的波長變換層，
其中，所述多個像素中的每一個包括光電變換元件，和
所述波長變換層配置為將所述放射線變換為具有處于所述光電變換元件的敏感區域中的波長的放射線。
15.根據權利要求14所述的放射線攝像裝置，其中，所述光電變換元件由PIN型光電二極管和MIS型傳感器之一構成。
16.根據權利要求1所述的放射線攝像裝置，其中，所述多個像素中的每一個包括吸收所述放射線以產生所述信號電荷的變換層。
17.根據權利要求1所述的放射線攝像裝置，其中，所述放射線包括X射線。
18.一種放射線攝像顯示系統，其設置有放射線攝像裝置和顯示單元，所述顯示單元配置為基于所述放射線攝像裝置獲得的攝像信號顯示圖像，所述放射線攝像裝置包括：
多個像素，其基于放射線產生信號電荷；和
場效應晶體管，其用于從所述多個像素讀出所述信號電荷，
所述晶體管包括：
從襯底側依次堆疊的第一氧化硅膜、包括有源層的半導體層、和第二氧化硅膜，和
設置為中間隔著所述第一和第二氧化硅膜之一面對所述半導體層的第一柵電極，并且
所述第二氧化硅膜的厚度等于或者大于所述第一氧化硅膜的厚度。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
