[發明專利]多晶硅錠鑄造用鑄模的脫模劑用氮化硅粉末及其制造和使用方法

有效

• 申請號: 201480038649.0
• 申請日: 2014-07-09
• 公開（公告）號: CN105377756B
• 公開（公告）日: 2017-03-15
• 發明（設計）人: 山尾猛;本田道夫;治田慎輔;藤井孝行
• 申請（專利權）人: 宇部興產株式會社
• 主分類號: C01B33/02
• 分類號: C01B33/02;C01B21/068;B22C3/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 吳宗頤

1.多晶硅錠鑄造用鑄模的脫模劑用氮化硅粉末，其特征在于，

比表面積為5～40m²/g，

將在粒子表面層存在的氧的含有比例記為FSO質量％、在粒子內部存在的氧的含有比例記為FIO質量％、比表面積記為FS m²/g，在此情況下，FS/FSO為8～30，FS/FIO為22以上，

Fe(鐵)的含量為10ppm以下，

采用激光衍射式粒度分布計的體積基準的粒度分布測定中的10體積％粒徑D10與90體積％粒徑D90的比率D10/D90為0.05～0.20。

2.權利要求1所述的多晶硅錠鑄造用鑄模的脫模劑用氮化硅粉末，其特征在于，FS/FSO為15～30，FS/FIO為30～60。

3.含有多晶硅錠鑄造用鑄模的脫模劑用氮化硅粉末的漿料，其特征在于，將氮化硅粉末與水混合而得到，所述氮化硅粉末的特征在于，

比表面積為5～40m²/g，

將在粒子表面層存在的氧的含有比例記為FSO質量％、在粒子內部存在的氧的含有比例記為FIO質量％、比表面積記為FS m²/g，在此情況下，FS/FSO為8～30，FS/FIO為22以上，

采用激光衍射式粒度分布計的體積基準的粒度分布測定中的10體積％粒徑D10與90體積％粒徑D90的比率D10/D90為0.05～0.20。

4.權利要求3所述的含有多晶硅錠鑄造用鑄模的脫模劑用氮化硅粉末的漿料，其特征在于，氮化硅粉末的Fe(鐵)的含量為10ppm以下。

5.權利要求3所述的含有多晶硅錠鑄造用鑄模的脫模劑用氮化硅粉末的漿料，其特征在于，氮化硅粉末的FS/FSO為15～30，FS/FIO為30～60。

6.權利要求3～5任一項所述的含有多晶硅錠鑄造用鑄模的脫模劑用氮化硅粉末的漿料，其特征在于，不含粘合劑。

7.具有脫模層的多晶硅錠鑄造用鑄模的制造方法，其特征在于，包括：

將氮化硅粉末與水混合而形成漿料的漿料形成工序，

將該漿料涂布于鑄模表面的漿料涂布工序，

將涂布于鑄模表面的上述漿料干燥的漿料干燥工序，和

在含氧氣氛下將表面涂布有該漿料的鑄模加熱的加熱處理工序；

所述氮化硅粉末的特征在于，

比表面積為5～40m²/g，

將在粒子表面層存在的氧的含有比例記為FSO質量％、在粒子內部存在的氧的含有比例記為FIO質量％、比表面積記為FS m²/g，在此情況下，FS/FSO為8～30，FS/FIO為22以上，

采用激光衍射式粒度分布計的體積基準的粒度分布測定中的10體積％粒徑D10與90體積％粒徑D90的比率D10/D90為0.05～0.20。

8.權利要求7所述的具有脫模層的多晶硅錠鑄造用鑄模的制造方法，其特征在于，氮化硅粉末的Fe(鐵)的含量為10ppm以下。

9.權利要求7所述的具有脫模層的多晶硅錠鑄造用鑄模的制造方法，其特征在于，氮化硅粉末的FS/FSO為15～30，FS/FIO為30～60。

10.權利要求7～9任一項所述的具有脫模層的多晶硅錠鑄造用鑄模的制造方法，其特征在于，上述漿料不含粘合劑。

11.權利要求7～9任一項所述的具有脫模層的多晶硅錠鑄造用鑄模的制造方法，其特征在于，在400～800℃范圍的溫度下進行上述加熱處理。

12.權利要求10所述的具有脫模層的多晶硅錠鑄造用鑄模的制造方法，其特征在于，在400～800℃范圍的溫度下進行上述加熱處理。