[發(fā)明專利]成像器件和電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480038562.3
• 申請(qǐng)日: 2014-07-22
• 公開（公告）號(hào): CN105379249B
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬渕圭司
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): H04N5/369
• 分類號(hào): H04N5/369;H03M1/56;H04N5/374;H04N5/378
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;曹正建

1.一種成像器件，其包括：

上基板和下基板，所述上基板與所述下基板是層疊的，

其中，

像素和被構(gòu)造用于將來自所述像素的信號(hào)電壓與斜坡信號(hào)的斜坡電壓進(jìn)行比較的比較單元設(shè)置于所述上基板，所述斜坡電壓隨著時(shí)間而變化，且

存儲(chǔ)單元設(shè)置于所述下基板，所述存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)當(dāng)所述比較單元的比較結(jié)果反轉(zhuǎn)時(shí)獲得的代碼值，

其中，所述比較單元由晶體管形成，所述晶體管被配置為在柵極處接收來自所述像素的所述信號(hào)電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像器件，其中，所述晶體管還被構(gòu)造為在源極處接收所述斜坡電壓并且輸出漏極電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成像器件，其中，用于使所述晶體管的所述漏極電壓復(fù)位的電壓高于后級(jí)電路的電源電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的成像器件，其中，所述存儲(chǔ)單元的電源電壓低于所述后級(jí)電路的電源電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像器件，其中，所述上基板的電源電壓高于所述下基板的電源電壓。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的成像器件，其中，模擬電路設(shè)置于所述上基板且數(shù)字電路設(shè)置于所述下基板。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的成像器件，其中，

所述比較單元和所述存儲(chǔ)單元由負(fù)溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)形成，且

所述比較單元和所述存儲(chǔ)單元具有相同的高電源且具有不同的低電源。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的成像器件，其中，

所述比較單元和所述存儲(chǔ)單元由正溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)形成，且

所述比較單元和所述存儲(chǔ)單元具有相同的低電源且具有不同的高電源。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的成像器件，其中，在所述存儲(chǔ)單元中包含的晶體管中，被構(gòu)造用于接收來自所述比較單元的信號(hào)的晶體管被制造為具有高耐受電壓。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的成像器件，還包括：

在所述上基板上的緩沖器。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的成像器件，其中，所述晶體管的漏極連接到所述緩沖器。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的成像器件，其中：

所述存儲(chǔ)單元是鎖存電路。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的成像器件，其中，所述鎖存電路被配置為基于所述晶體管的輸出存儲(chǔ)信號(hào)。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的成像器件，其中，在所述下基板上的所述鎖存電路是利用正溝道金屬氧化物半導(dǎo)體形成的。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像器件，其中，所述上基板包括多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件，且其中四個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件布置為2×2個(gè)像素的模塊。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的成像器件，其中，在所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件中的每個(gè)所述光電轉(zhuǎn)換元件通過傳輸晶體管中的相應(yīng)一個(gè)傳輸晶體管被選擇性地連接至浮動(dòng)擴(kuò)散部。