[發明專利]包含階梯結構的半導體裝置

有效

• 申請號: 201480038462.0
• 申請日: 2014-06-27
• 公開（公告）號: CN105453266B
• 公開（公告）日: 2020-03-13
• 發明（設計）人: 阿龍·葉;湯強;河昌完
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/11565
• 分類號: H01L27/11565;H01L27/115;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11575;H01L27/11582;G11C16/06
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

1.一種半導體裝置，其包括存儲器陣列塊，所述存儲器陣列塊包括包含連續導電層堆疊的多個導電層及所述存儲器陣列塊的第一部分與第二部分之間的階梯結構，所述連續導電層堆疊中的每一導電層都是連續導電層，其中所述階梯結構不包含選擇柵極，其中所述階梯結構包含用于所述連續導電層堆疊的相應連續導電層的接觸區域，且其中：

所述存儲器陣列塊的所述第一部分包括第一多個選擇柵極，其中所述第一多個選擇柵極中的每一選擇柵極在所述連續導電層堆疊上方沿一方向延伸；及

所述存儲器陣列塊的所述第二部分包括第二多個選擇柵極，其中所述第二多個選擇柵極中的每一選擇柵極也在所述連續導電層堆疊上方沿所述方向延伸。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述階梯結構的所述接觸區域沿所述方向對準。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一多個選擇柵極及所述第二多個選擇柵極沿正交于所述方向的另一方向各自具有集體寬度，且其中沿所述另一方向的所述階梯結構的寬度小于所述集體寬度。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述階梯結構的所述接觸區域包括用于所述連續導電層堆疊的非所有所述導電層的接觸區域。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中所述階梯結構包括第一階梯結構且所述接觸區域包括用于所述連續導電層堆疊的第一多個連續導電層的第一接觸區域，所述半導體裝置進一步包括所述存儲器陣列塊的所述第二部分與所述存儲器陣列塊的第三部分之間的第二階梯結構，其中所述第二階梯結構包括用于所述連續導電層堆疊的第二多個連續導電層的第二接觸區域。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中所述第一多個選擇柵極中的每一選擇柵極耦合到所述第二多個選擇柵極中的相應選擇柵極。

7.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中所述存儲器陣列塊的所述第三部分包括第三多個選擇柵極，其中所述第三多個選擇柵極中的每一選擇柵極也在所述連續導電層堆疊上方沿所述方向延伸。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中所述第一多個選擇柵極中的每一選擇柵極耦合到所述第二多個選擇柵極中的相應選擇柵極，且其中所述第二多個選擇柵極中的每一選擇柵極耦合到所述第三多個選擇柵極中的相應選擇柵極。

9.根據權利要求5所述的半導體裝置，其進一步包括所述存儲器陣列塊的所述第三部分與所述存儲器陣列塊的第四部分之間的第三階梯結構，其中所述第三階梯結構包括用于所述連續導電層堆疊的第三多個導電層的第三接觸區域。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其進一步包括：

第一控制單元，其位于所述存儲器陣列塊的所述第一部分下方且耦合到所述第一多個連續導電層的第一部分；

第二控制單元，其位于所述存儲器陣列塊的所述第二部分下方且耦合到所述第一多個連續導電層的第二部分；

第三控制單元，其位于所述存儲器陣列塊的所述第二部分下方且耦合到所述第二多個連續導電層的第一部分；

第四控制單元，其位于所述存儲器陣列塊的所述第三部分下方且耦合到所述第二多個連續導電層的第二部分；

第五控制單元，其位于所述存儲器陣列塊的所述第三部分下方且耦合到所述第三多個連續導電層的第一部分；及

第六控制單元，其位于所述存儲器陣列塊的所述第四部分下方且耦合到所述第三多個連續導電層的第二部分。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中所述控制單元包括旁通柵極。

12.根據權利要求9所述的半導體裝置，其進一步包括所述存儲器陣列塊的所述第四部分與所述存儲器陣列塊的第五部分之間的第四階梯結構，其中所述第四階梯結構包括用于所述連續導電層堆疊的第四多個連續導電層的第四接觸區域。