[發明專利]光電子器件、有機功能層和用于制造光電子器件的方法有效
| 申請號: | 201480038460.1 | 申請日: | 2014-06-25 |
| 公開(公告)號: | CN105359293B | 公開(公告)日: | 2017-03-22 |
| 發明(設計)人: | 阿恩特·耶格;岡特·施密德 | 申請(專利權)人: | 歐司朗OLED股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/54 | 分類號: | H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人: | 丁永凡,高少蔚 |
| 地址: | 德國雷*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電子 器件 有機 功能 用于 制造 方法 | ||
1.一種光電子器件,所述光電子器件包括:
-襯底(1),
-第一電極(2),
-第二電極(9),
-至少一個有機功能層,所述有機功能層設置在第一電極(2)和第二電極(9)之間,和
-基體材料,
-第一化合物,和
-第二化合物,
其中所述第一化合物與所述第二化合物相互作用,并且
其中所述第一化合物和/或所述第二化合物與所述基體材料相互作用,并且
其中通過所述相互作用產生所述有機功能層的導電率。
2.根據權利要求1所述的光電子器件,
其中所述有機功能層選自:空穴傳輸層、空穴注入層和空穴阻擋層。
3.根據上述權利要求中任一項所述的光電子器件,其中所述第一化合物選自下列結構單元或式:
其中R1、R1’、R2x和R2x’彼此獨立地選自:無枝化的、枝化的、縮合的、環狀的、未取代的和取代的烷基殘基、取代的和未取代的芳香烴、取代的和未取代的雜芳烴,其中x分別代表a、b、c或d,
其中R1、R2、R3和/或R4是相同的或不同的并且分別選自:取代或未取代的烴基殘基、烷基殘基、環烷基殘基、雜環烷基殘基、芳基殘基、雜芳烴殘基和它們的組合,并且
其中所述第二化合物選自:二吡嗪[2,3-f:2',3'-h]喹惡啉-2,3,6,7,10,11-六腈、7,7,8,8-四氰基對苯二醌二甲烷、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基對苯醌、2,3-二(N-苯二甲酰)-5,6-二氰基-1,4-苯醌、吡嗪[2,3-f][1,10]菲啰啉-2,3-二腈和其氟化的或非氟化的衍生物和四氰基對苯二醌二甲烷和其氟化的或非氟化的衍生物。
4.根據上述權利要求中任一項所述的光電子器件,其中所述有機功能層的導電率大于由第一導電率和第二導電率組成的總和,所述第一導電率通過所述第一化合物與所述基體材料的唯一的相互作用產生,所述第二導電率通過所述第二化合物與所述基體材料的唯一的相互作用產生。
5.根據上述權利要求中任一項所述的光電子器件,其中所述第一化合物與所述第二化合物和所述第一化合物與所述基體材料和/或所述第二化合物與所述基體材料構成至少一個配位鍵。
6.根據上述權利要求中任一項所述的光電子器件,其中所述第一化合物是關于所述基體材料的電子受體和/或關于所述第二化合物的電子受體。
7.根據上述權利要求中任一項所述的光電子器件,其中所述第二化合物是關于所述基體材料的電子受體和/或關于所述第一化合物的電子供體。
8.根據上述權利要求中任一項所述的光電子器件,其通過同時從所述第一化合物、所述第二化合物和所述基體材料的不同的源進行蒸發來制造,其中第三化合物通過第一化合物和第二化合物在氣相中的絡合物形成產生。
9.根據上述權利要求中任一項所述的光電子器件,其中所述第一化合物包括具有至少一個金屬中心原子的金屬絡合物。
10.根據上述權利要求中任一項所述的光電子器件,其中所述第一化合物的所述金屬中心原子選自Cu、Cr、Mo和Bi。
11.根據上述權利要求中任一項所述的光電子器件,其中所述第二化合物包括芳香烴和/或雜芳烴,所述芳香烴和/或雜芳烴具有至少兩個功能基團,所述功能基團有能力構成配位鍵和/或π-π相互作用。
12.根據上述權利要求中任一項所述的光電子器件,其中所述功能基團選自:胺、磷化氫、苯酚、硫醇、氰基、異氰基、氰酸基、硝酸基、羧酸基、氟化的羧酸基、乙酰丙酮酸鹽、氟化的乙酰丙酮鹽、羰基、酰胺、酰亞胺、噻吩、氟和它們的組合。
13.根據上述權利要求中任一項所述的光電子器件,其中所述第一化合物與所述第二化合物構成至少一個配位鍵,使得產生鏈狀的結構和/或網狀的結構。
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H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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