[發明專利]一種真空鍍膜設備以及鍍膜方法

有效

• 申請號: 201480038276.7
• 申請日: 2014-06-12
• 公開（公告）號: CN105378143B
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發明（設計）人: 文潔;何自堅
• 申請（專利權）人: 深圳市大富精工有限公司
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50;C23C14/56;C23C14/24
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦

1.一種真空鍍膜設備，用于對數據線進行真空鍍膜，所述數據線一端設置有第一數據線接頭，其特征在于，所述真空鍍膜設備包括氣相沉積室以及設置于所述氣相沉積室內的支架，所述支架包括多個第一支架接頭，所述第一支架接頭能夠與所述第一數據線接頭適配且彼此接插固定，所述數據線另一端設置有第二數據線接頭，所述支架進一步包括多個第二支架接頭，所述第二支架接頭能夠與所述第二數據線接頭適配且彼此接插固定，進而將所述數據線設置于所述氣相沉積室內；所述真空鍍膜設備進一步包括設置于所述氣相沉積室側壁的入口以及設置于所述氣相沉積室內與所述入口正對著的降溫分流擋板，所述入口用于引入高分子材料裂解氣體，所述高分子材料裂解氣體經所述降溫分流擋板冷卻后擴散于所述氣相沉積室內。

2.根據權利要求1所述的真空鍍膜設備，其特征在于，所述支架進一步包括支架柱以及多個第一支撐桿，所述多個第一支撐桿設置于所述支架柱上且沿所述支架柱的徑向方向放射狀延伸，所述第一支架接頭間隔設置于所述第一支撐桿上。

3.根據權利要求2所述的真空鍍膜設備，其特征在于，所述第一支撐桿上間隔設置有多個第一卡槽，所述第一支架接頭固定于所述第一卡槽內。

4.根據權利要求2所述的真空鍍膜設備，其特征在于，所述支架進一步包括多個第二支撐桿，所述多個第二支撐桿沿所述支架柱的軸向方向相對于所述第一支撐桿間隔設置于所述支架柱上且沿所述支架柱的徑向方向放射狀延伸，所述第二支架接頭間隔設置于所述第二支撐桿上，進而將所述數據線設置于所述第一支撐桿和所述第二支撐桿之間。

5.根據權利要求4所述的真空鍍膜設備，其特征在于，所述第二支撐桿上間隔設置有多個第二卡槽，所述第二支架接頭固定于所述第二卡槽內。

6.根據權利要求4所述的真空鍍膜設備，其特征在于，所述第一支架接頭和所述第二支架接頭對稱設置，以使得設置于所述第一支撐桿和所述第二支撐桿之間的所述數據線平行于所述支架柱的軸向方向。

7.根據權利要求4所述的真空鍍膜設備，其特征在于，所述第一支撐桿和所述第二支撐桿中的至少一者沿所述支架柱的軸向方向的位置可調，進而使得所述第一支撐桿與所述第二支撐桿沿所述支架柱的軸向方向的間距可調。

8.根據權利要求4所述的真空鍍膜設備，其特征在于，所述支架進一步包括第一主支撐環和第二主支撐環，所述第一主支撐環和所述第二主支撐環分別與所述支架柱嵌套設置且沿所述支架柱的軸向方向間隔固定于所述支架柱上，所述第一支撐桿包括多個第一主支撐桿，所述多個第一主支撐桿設置于所述第一主支撐環上且向所述第一主支撐環的外側放射狀延伸，所述第二支撐桿包括多個第二主支撐桿，所述多個第二主支撐桿設置于所述第二主支撐環上且向所述第二主支撐環的外側放射狀延伸。

9.根據權利要求8所述的真空鍍膜設備，其特征在于，所述支架進一步包括第一輔支撐環、第二輔支撐環、多個第一輔支撐桿和多個第二輔支撐桿，所述第一輔支撐環設置于所述第一主支撐桿上且沿所述支架柱的徑向方向與所述第一主支撐環間隔嵌套設置，所述多個第一輔支撐桿設置于所述第一輔支撐環上且向所述第一輔支撐環的外側放射狀延伸，所述第二輔支撐環設置于所述第二主支撐桿上且沿所述支架柱的徑向方向與所述第二主支撐環間隔嵌套設置，所述多個第二輔支撐桿設置于所述第二輔支撐環上且向所述第二輔支撐環的外側放射狀延伸。

10.根據權利要求1所述的真空鍍膜設備，其特征在于，所述真空鍍膜設備進一步包括排氣柱，所述排氣柱呈中空狀且在所述排氣柱的側壁上設置有多個第一通氣孔，所述支架柱呈中空狀且所述支架柱的側壁上設置有多個第二通氣孔，所述排氣柱從所述支架柱的一端插入所述支架柱，所述支架柱嵌套設置于所述排氣柱外側且能夠繞所述排氣柱進行轉動，所述高分子材料裂解氣體經所述第一通氣孔和所述第二通氣孔均勻擴散并沉積于所述數據線上。