[發明專利]半導體基板的制造方法

有效

• 申請號: 201480038163.7
• 申請日: 2014-07-03
• 公開（公告）號: CN105474354B
• 公開（公告）日: 2018-04-17
• 發明（設計）人: 今岡功;小林元樹;內田英次;八木邦明;河原孝光;八田直記;南章行;坂田豐和;牧野友厚;高木秀樹;倉島優一
• 申請（專利權）人: 株式會社希克斯;獨立行政法人產業技術綜合研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 李洋,尹文會

1.一種半導體基板的制造方法，其特征在于，具備：

非晶質層厚度決定工序，在該非晶質層厚度決定工序中，根據半導體的支承基板的表面粗糙度以及單結晶層的表面粗糙度來決定第一非晶質層以及第二非晶質層的厚度；

非晶質層形成工序，在該非晶質層形成工序中，對所述支承基板的表面的晶體結構給予損傷而形成所述第一非晶質層，并且對所述半導體的所述單結晶層的表面的晶體結構給予損傷而形成所述第二非晶質層，

所述第一非晶質層以及所述第二非晶質層具有由所述厚度決定工序決定的厚度；

接觸工序，在該接觸工序中，使所述第一非晶質層與所述第二非晶質層接觸；以及

熱處理工序，在該熱處理工序中，對所述第一非晶質層與所述第二非晶質層接觸的狀態的所述支承基板以及所述單結晶層進行熱處理。

2.根據權利要求1所述的半導體基板的制造方法，其特征在于，

所述單結晶層是單結晶SiC，

所述支承基板是多結晶SiC。

3.根據權利要求2所述的半導體基板的制造方法，其特征在于，

所述第一非晶質層以及所述第二非晶質層含有Si和C。

4.根據權利要求1所述的半導體基板的制造方法，其特征在于，

所述非晶質層形成工序通過以除去存在于所述支承基板的表面以及所述單結晶層的表面的氧化層和吸附層的方式在真空中照射原子能級的粒子來進行，

所述接觸工序以使除去了氧化層和吸附層的清潔的面接合的方式在進行了所述非晶質層形成工序的真空中繼續進行。

5.根據權利要求4所述的半導體基板的制造方法，其特征在于，

所述原子能級的粒子的照射量根據第一非晶質層以及第二非晶質層的厚度來決定。

6.根據權利要求1所述的半導體基板的制造方法，其特征在于，

所述第一非晶質層的厚度在所述支承基板的表面的算術平均粗糙度的1倍～20倍的范圍內，

所述第二非晶質層的厚度在所述單結晶層的表面的算術平均粗糙度的1倍～20倍的范圍內。

7.根據權利要求1所述的半導體基板的制造方法，其特征在于，還具備平坦化工序，在該平坦化工序中，通過從所述支承基板的表面機械式地除去微量的切屑而使所述支承基板的表面平坦化，

所述非晶質層形成工序對經所述平坦化工序而平坦化的表面的晶體結構給予損傷而形成所述第一非晶質層。

8.一種半導體基板，其特征在于，具備：

多結晶SiC的第一層；和

配置在所述第一層上的單結晶SiC的第二層，

所述半導體基板按照根據權利要求1～7中任一項所述的制造方法來準備，以及

存在于所述第一層與所述第二層的界面的氧化膜厚不足1原子層。