[發(fā)明專利]具有在金屬化層之下的應(yīng)力緩沖層的LED

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480037882.7
• 申請(qǐng)日: 2014-06-23
• 公開（公告）號(hào): CN105340089B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S.阿克拉姆;Q.鄒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 亮銳控股有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/44
• 分類號(hào): H01L33/44;H01L33/48
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 孫慧;景軍平

1.一種發(fā)光器件，包括：

基本上透明的生長(zhǎng)襯底；

布置在襯底上的發(fā)光二極管（LED）層，LED層包括p型層和n型層；

電氣接觸p型層和n型層以形成p金屬接觸件和n金屬接觸件的一個(gè)或多個(gè)金屬接觸層；

布置在p金屬接觸件和n金屬接觸件之上的電介質(zhì)聚合物應(yīng)力緩沖層，應(yīng)力緩沖層在p金屬接觸件和n金屬接觸件之上形成基本上平面的表面，應(yīng)力緩沖層具有暴露p金屬接觸件的部分和n金屬接觸件的部分的兩個(gè)或更多開口；以及

布置在應(yīng)力緩沖層之上的金屬焊接墊，其中金屬焊接墊通過應(yīng)力緩沖層中的開口電氣連接到p金屬接觸件和n金屬接觸件。

2.權(quán)利要求1的器件，其中應(yīng)力緩沖層是彈性的以便當(dāng)金屬焊接墊在施加熱量時(shí)以與其下面的材料不同的速率膨脹時(shí)變形。

3.權(quán)利要求1的器件，其中應(yīng)力緩沖層包括苯并環(huán)丁烯（BCB）。

4.權(quán)利要求1的器件，其中生長(zhǎng)襯底具有在其上外延生長(zhǎng)LED層的生長(zhǎng)表面，其中生長(zhǎng)表面在生長(zhǎng)LED層之前被圖案化。

5.權(quán)利要求1的器件，其中蝕刻LED層以暴露p型層和n型層之一以用于電氣連接到p金屬接觸件或n金屬接觸件，其中蝕刻還創(chuàng)建圍繞器件的溝槽，其中應(yīng)力緩沖層至少部分地填充溝槽。

6.權(quán)利要求1的器件，還包括在應(yīng)力緩沖層與p金屬接觸件和n金屬接觸件之間的鈍化層。

7.權(quán)利要求1的器件，其中器件是倒裝芯片LED。

8.權(quán)利要求1的器件，還包括焊接墊上的焊料凸塊。

9.權(quán)利要求1的器件，其中襯底包括藍(lán)寶石并且LED是基于GaN的。

10.權(quán)利要求1的器件，其中一個(gè)或多個(gè)金屬接觸層包括與p型層和n型層之一物理接觸的金屬接觸層以及在接觸層與焊接墊之間的界面層。

11.權(quán)利要求1的器件，其中焊接墊包括多個(gè)金屬層。

12.一種用于形成發(fā)光器件的方法，包括：

在基本上透明的生長(zhǎng)襯底上外延生長(zhǎng)發(fā)光二極管（LED）層，LED層包括p型層和n型層；

沉積和圖案化一個(gè)或多個(gè)金屬接觸層，所述一個(gè)或多個(gè)金屬接觸層電氣接觸p型層和n型層以形成p金屬接觸件和n金屬接觸件；

在p金屬接觸件和n金屬接觸件之上沉積電介質(zhì)聚合物應(yīng)力緩沖層，應(yīng)力緩沖層在p金屬接觸件和n金屬接觸件之上形成基本上平面的表面，應(yīng)力緩沖層具有暴露p金屬接觸件的部分和n金屬接觸件的部分的兩個(gè)或更多開口；以及

在應(yīng)力緩沖襯底層之上形成金屬焊接墊，金屬焊接墊通過應(yīng)力緩沖層中的開口電氣接觸p金屬接觸件和n金屬接觸件。

13.權(quán)利要求12的方法，其中應(yīng)力緩沖層是彈性的以便當(dāng)金屬焊接墊在施加熱量時(shí)以與其下面的材料不同的速率膨脹時(shí)變形。

14.權(quán)利要求12的方法，其中應(yīng)力緩沖層包括苯并環(huán)丁烯（BCB）。

15.權(quán)利要求12的方法，還包括蝕刻LED層以暴露p型層和n型層之一以用于電氣連接到p金屬接觸件或n金屬接觸件，其中蝕刻還創(chuàng)建圍繞器件的溝槽，其中應(yīng)力緩沖層至少部分地填充溝槽。