[發(fā)明專利]光子集成平臺有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480037731.1 | 申請日： | 2014-06-18 |
| 公開（公告）號： | CN105359014B | 公開（公告）日： | 2018-12-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 馬克·韋伯斯特;拉維·謝卡爾·圖米甸 | 申請（專利權(quán)）人： | 思科技術(shù)公司 |
| 主分類號： | G02B6/122 | 分類號： | G02B6/122;G02B6/30;G02B6/13;G02B6/10;G02B6/12 |
| 代理公司： | 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11258 | 代理人： | 李曉冬 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光子 集成 平臺 | ||
1.一種用于形成光學(xué)設(shè)備的方法，包括：
在光學(xué)設(shè)備的絕緣層中形成第一波導(dǎo)；
在形成所述第一波導(dǎo)后，將晶體的半導(dǎo)體層置于所述絕緣層上；以及在所述半導(dǎo)體層中形成第二波導(dǎo)，其中，所述第二波導(dǎo)至少部分與在所述絕緣層中的所述第一波導(dǎo)交疊，
其中，形成所述第一波導(dǎo)還包括在所述絕緣層中形成波導(dǎo)適配器，所述波導(dǎo)適配器包括暴露在所述光學(xué)設(shè)備的外部耦合表面處的多個接頭，所述外部耦合表面被配置為耦合于外部光源，
其中，所述波導(dǎo)適配器包括在所述絕緣層中相對于襯底被置于第二接頭上方的第一接頭，并且其中，隨著所述第一接頭遠離所述外部耦合表面延伸，所述第一接頭的尺寸增大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一波導(dǎo)的至少一部分和所述第二波導(dǎo)的一部分在所述光學(xué)設(shè)備中的所述第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)的交疊處被錐形化。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，隨著所述第二接頭遠離所述外部耦合表面延伸，所述第二接頭的尺寸減小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
將所述光學(xué)設(shè)備的襯底形成為包括凹槽，所述凹槽被配置為在所述外部耦合表面處無源地對準外部光源以將光引入所述波導(dǎo)適配器的多個接頭中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)在所述第一波導(dǎo)與第二波導(dǎo)交疊處以不大于500毫微米的間隔被分開。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述光學(xué)設(shè)備包括絕緣體上硅結(jié)構(gòu)，其中，所述襯底是晶體硅，所述絕緣層是硅型絕緣體，并且所述半導(dǎo)體層是晶體硅，并且
其中，所述第一波導(dǎo)包括氮氧化硅和氮化硅中的一種，并且所述第二波導(dǎo)包括晶體硅。
7.一種絕緣體上硅SOI光學(xué)設(shè)備，包括：
半導(dǎo)體襯底；
被置于所述襯底上面的絕緣層，其中，波導(dǎo)被嵌入在所述絕緣層中；以及
在所述絕緣層上面的晶體硅層，所述晶體硅層包括交疊硅波導(dǎo)，所述硅波導(dǎo)與嵌入式波導(dǎo)交疊，從而使在所述嵌入式波導(dǎo)中傳輸?shù)墓庑盘柋粋鬟f至所述硅波導(dǎo)，
其中，所述嵌入式波導(dǎo)還包括波導(dǎo)適配器，所述波導(dǎo)適配器包括暴露在所述光學(xué)設(shè)備的外部耦合表面處的多個接頭，所述外部耦合表面被配置為耦合于外部光源，
其中，所述波導(dǎo)適配器包括所述絕緣層中相對于襯底被置于第二接頭上方的第一接頭，并且其中，隨著所述第一接頭遠離所述外部耦合表面延伸，所述第一接頭的尺寸增大。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的SOI光學(xué)設(shè)備，其中，所述嵌入式波導(dǎo)的至少一部分和所述硅波導(dǎo)的一部分在所述光學(xué)設(shè)備中的所述嵌入式波導(dǎo)和硅波導(dǎo)的交疊處被錐形化。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的SOI光學(xué)設(shè)備，其中，隨著所述第二接頭遠離所述外部耦合表面延伸，所述第二接頭的尺寸減小。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的SOI光學(xué)設(shè)備，其中，所述襯底包括凹槽，所述凹槽被配置為在所述外部耦合表面處無源地對準外部光源以將光引入所述波導(dǎo)適配器的多個接頭中。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的SOI光學(xué)設(shè)備，其中，所述嵌入式波導(dǎo)和硅波導(dǎo)在所述嵌入式波導(dǎo)與硅波導(dǎo)交疊處以不大于500毫微米的間隔被分開。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的SOI光學(xué)設(shè)備，其中，所述絕緣層是硅型絕緣體，并且所述嵌入式波導(dǎo)包括氮氧化硅和氮化硅中的一種。
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