[發明專利]電磁波屏蔽用金屬箔、電磁波屏蔽材料和屏蔽電纜有效
| 申請號： | 201480037280.1 | 申請日： | 2014-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN105340376B | 公開（公告）日： | 2018-11-02 |
| 發明（設計）人： | 田中幸一郎 | 申請（專利權）人： | JX日礦日石金屬株式會社 |
| 主分類號： | H05K9/00 | 分類號： | H05K9/00;B32B9/00;C22C13/00;C22C19/03;C23C8/12;C23C14/06;C23C28/00;H01B7/17;C25D5/12;C25D5/50 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;劉力 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電磁波 屏蔽 金屬 材料 電纜 | ||
1.電磁波屏蔽用金屬箔，其中，在由金屬箔形成的基材的一個面或兩面形成有Sn-Ni合金層，在該Sn-Ni合金層的表面形成有含Sn和Ni的氧化物，
所述Sn-Ni合金層含有20-80質量%Sn，厚度為30-500nm，
距最表面的深度設為Xnm，通過XPS進行深度方向分析，
Sn的原子濃度(%)設為ASn(X)、Ni的原子濃度(%)設為ANi(X)、氧的原子濃度(%)設為Ao(X)且Ao(X)=0時的X設為X0時，30nm≥Xo≥0.5nm，且區間[0, Xo]中滿足0.4≥∫ANi(X)dX/∫ASn(X)dX≥0.05。
2.權利要求1所述的電磁波屏蔽用金屬箔，其中，所述Sn-Ni合金層進一步含有選自P、W、Fe和Co的1種以上的元素。
3.權利要求1或2所述的電磁波屏蔽用金屬箔，其中，所述Sn-Ni合金層含有10質量%以下的所述基材的構成元素。
4.權利要求1或2所述的電磁波屏蔽用金屬箔，其中，在所述Sn-Ni合金層和所述基材之間形成基底層，所述基底層由下列層構成：由Ni形成的金屬層，或由Ni與P、W、Fe或Co形成的合金層。
5.權利要求1或2所述的電磁波屏蔽用金屬箔，其中，所述基材由金、銀、鉑、不銹鋼、鐵、鎳、鋅、銅、銅合金、鋁或鋁合金形成。
6.權利要求4所述的電磁波屏蔽用金屬箔，其中，所述基材為鋁或鋁合金，在所述基材和所述基底層之間形成Zn層。
7.電磁波屏蔽材料，其中，在權利要求1-6中任一項所述的電磁波屏蔽用金屬箔的一個面上層合有樹脂層。
8.權利要求7所述的電磁波屏蔽材料，其特征在于：所述樹脂層為樹脂膜。
9.屏蔽電纜，其由權利要求7或8所述的電磁波屏蔽材料屏蔽。
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