[發明專利]滲碳部件有效
| 申請號: | 201480037046.9 | 申請日: | 2014-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN105339518B | 公開(公告)日: | 2017-10-27 |
| 發明(設計)人: | 中山恭平;酒井康明;森田敏之;井上圭介 | 申請(專利權)人: | 大同特殊鋼株式會社 |
| 主分類號: | C22C38/00 | 分類號: | C22C38/00;C21D9/28;C21D9/32;C21D9/40;C22C38/60;C23C8/22;C21D1/06 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112 | 代理人: | 常海濤,高釗 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 滲碳 部件 | ||
技術領域
本發明涉及滲碳部件,尤其涉及具有有序晶粒結構的滲碳部件,其中在該晶粒結構中,晶粒的尺寸均一。
背景技術
例如,對于用在汽車中的齒輪、軸承部件和轉軸之類的機械部件,通常將JIS鋼種(如SCr420)加工為部件形狀,然后通過滲碳硬化對其進行表面硬化處理以改善耐磨性、疲勞強度等從而加以使用。
滲碳硬化為長時間的高溫熱處理,其易于造成晶粒的粗化。
基于這一原因,一直以來,為了防止晶粒變粗,人們進行了各種研究并提出了各種建議。
作為防止晶粒變粗的有用的技術,這樣一種技術是廣泛已知的:其中,在滲碳處理之前的制造步驟中,通過析出呈分散狀態的如AlN等的顆粒從而對晶界進行釘扎作用。
例如,在如下的專利文獻1和2中披露了這種技術。
然而,對于這種通過利用析出物顆粒對晶界進行釘扎作用的技術,其并不能充分地抑制局部發生晶粒的異常粗化的異常晶粒生長。
本文中使用的術語“異常晶粒生長”是指由于如下原因而發生的現象,該原因為:盡管在滲碳初期析出物顆粒的釘扎力大于晶粒生長的驅動力,但是在滲碳過程中,這些力之間的大小關系發生逆轉,并且晶粒生長的驅動力變得大于析出物顆粒的釘扎力。由于在滲碳過程中析出物顆粒的固溶體的形成、析出物通過奧氏成長(Ostwald growth)而粗化等原因,釘扎力減小,因此發生了這些力的這種逆轉。
此外,關于進行冷鍛的部件,在鍛造時向部件的內部引入了塑性變形分布,并且在變形顯著的區域中,會發生釘扎力與晶粒生長驅動力之間的大小逆轉,從而造成晶粒的異常晶粒生長。
圖1(B)以模型的方式示出了異常生長晶粒的發生。
圖1(B)中的(a)示出了滲碳初期的狀態,p表示析出物顆粒(釘扎顆粒)。在滲碳初期的這種狀態中,晶界之間插入有大量的析出物顆粒p,并且晶粒q之間的晶界被釘扎并受到約束,從而抑制了晶粒q生長至更大的尺寸。
然而,通過在滲碳過程中形成固溶體,一些釘扎晶界的析出物顆粒p會消失,并且這些析出物顆粒p的釘扎作用(約束)被破壞(被除去),由此一些鄰近的晶粒對的晶界處不存在釘扎作用,因此這些晶粒對發生接合并生長為一個晶粒。
通過這種方式實現尺寸增加的晶粒能夠獲得晶粒生長的動力,并且在析出物顆粒p的釘扎力相對降低的情況下,各晶粒分別破壞了析出物顆粒p對晶界的釘扎作用,并將相鄰晶粒一個接一個地吞并,從而持續進行晶粒生長。
即,一旦由析出物顆粒p產生的晶界釘扎作用被破壞,則釘扎作用被破壞的晶界成為晶粒生長的中心,并且由該晶界開始,會連鎖地發生晶粒的顆粒生長,從而發生如圖1(B)中的(b)所示的異常晶粒生長,并最終異常地形成巨大晶粒Q。
圖1(B)中的(c)示出了異常生長晶粒的實例(滲碳后的晶粒照片)。
順帶提及的是,該實例的照片為表1中列為比較例1的鋼材的中心部分的照片,其中該鋼材經過了1,100℃下的滲碳處理。
當發生這種異常晶粒生長時,由于硬化性的局部改善而造成熱處理變形,因此造成了產生噪音和振動或降低疲勞強度的問題。
一直以來,在這種情況中,人們采取了一些手段,使更大量的處于分散狀態的析出物顆粒析出,以進一步提高析出物顆粒的晶界釘扎力。然而,這些手段并不能充分抑制異常晶粒生長的發生。
尤其是近年來,如下技術被廣泛采用:提高滲碳溫度以縮短滲碳時間的技術;進行冷鍛以降低部件的制造成本的技術;以及適應環境保護的技術,如在生產中進行真空滲碳以減少CO2排放并提高強度。然而,在這些技術中更易于發生異常晶粒生長。因此,需要能夠有效抑制這種異常晶粒生長的手段。
此外,作為與本發明相關的另一背景技術,在如下專利文獻3中披露了一項發明“具有優異的冷加工性和晶粒粗化性的表面硬化鋼”,該文獻披露了:由于目前用于釘扎晶粒晶界的AlN顆粒是固溶的,或者在900℃以上的溫度區域中其尺寸會增加,因此在滲碳處理時AlN顆粒對于抑制晶粒粗化并不具有太大的效果,試圖通過向鋼中加入Nb和Al并使這些元素與C和N結合來形成微細的復合析出物,從而抑制晶粒的粗化。
然而,專利文獻3中所披露的發明與本發明的根本不同之處在于:專利文獻3中加入了過量的Nb,而與此相反的是,本發明中避免添加作為雜質的Nb。
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