[發明專利]具有嵌入在TFT平板中的CMOS傳感器的X射線成像器

有效

• 申請號: 201480036132.8
• 申請日: 2014-03-28
• 公開（公告）號: CN105324683B
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發明（設計）人: R·韋斯菲爾德;R·科爾貝斯;I·莫洛維;A·甘谷利
• 申請（專利權）人: 萬睿視影像有限公司
• 主分類號: G01T1/16
• 分類號: G01T1/16;G01T1/20;G01T7/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種x射線成像設備，包括：

閃爍體層，被配置成由x射線來生成光，所述閃爍體層包括第一表面和第二表面；

第一檢測器，在所述第一表面處并且被配置成檢測在所述閃爍體層中生成的光，所述第一檢測器包括多個第一檢測像素，所述多個第一檢測像素被配置為以第一分辨率生成第一圖像；以及

第二檢測器，在所述第二表面處并且被配置成檢測在所述閃爍體層中生成的光，所述第二檢測器包括多個第二檢測像素，所述多個第二檢測像素被配置為以第二分辨率生成第二圖像，其中所述第二檢測像素不同于所述第一檢測像素，并且所述第一圖像的所述第一分辨率不同于所述第二圖像的所述第二分辨率。

2.根據權利要求1所述的x射線成像設備，其中所述第一檢測器包括TFT檢測器陣列，所述TFT檢測器陣列包括具有第一像素大小的所述多個第一檢測像素，并且所述第二檢測器包括CMOS傳感器，所述CMOS傳感器包括具有小于所述第一像素大小的第二像素大小的所述多個第二檢測像素。

3.根據權利要求2所述的x射線成像設備，其中所述第一像素大小是所述第二像素大小的整數倍。

4.根據權利要求3所述的x射線成像設備，其中所述閃爍體層、所述第一檢測器和所述第二檢測器被布置成處于使得x射線在所述閃爍體層中傳播之前穿過所述TFT檢測器的配置。

5.根據權利要求4所述的x射線成像設備，其中所述第一檢測器包括基板和所述TFT檢測器陣列，并且所述第一檢測器被布置成使得所述TFT檢測器陣列在所述基板與所述閃爍體層之間。

6.根據權利要求5所述的x射線成像設備，其中所述CMOS傳感器包括晶片和所述多個第二檢測像素，并且所述CMOS傳感器被布置成使得所述多個第二檢測像素在所述閃爍體層與所述晶片之間。

7.根據權利要求6所述的x射線成像設備，還包括布置在所述閃爍體層與所述CMOS傳感器之間的光纖面板(FOFP)。

8.根據權利要求6所述的x射線成像設備，其中所述CMOS傳感器的所述晶片在所述晶片的外圍附近具有通孔以實現通過所述通孔到所述第二檢測像素的電耦合。

9.根據權利要求5所述的x射線成像設備，其中所述CMOS傳感器包括晶片和所述多個第二檢測像素，并且所述CMOS傳感器被布置成使得所述晶片在所述閃爍體層與所述多個第二檢測像素之間，使得由所述第二檢測像素檢測的光穿過所述晶片。

10.根據權利要求3所述的x射線成像設備，其中所述閃爍體層、所述第一檢測器和所述第二檢測器被布置成處于使得x射線在所述閃爍體層中傳播之前穿過所述CMOS傳感器的配置。

11.根據權利要求10所述的x射線成像設備，其中所述第一檢測器包括基板和所述TFT檢測器陣列，并且所述第一檢測器被布置成使得TFT檢測器陣列在所述閃爍體層與所述基板之間。

12.根據權利要求11所述的x射線成像設備，其中所述CMOS傳感器包括晶片和所述多個第二檢測像素，并且所述CMOS傳感器被布置成使得所述多個第二檢測像素在所述閃爍體層與所述晶片之間。

13.根據權利要求12所述的x射線成像設備，其中所述CMOS傳感器的所述晶片在所述晶片的外圍附近具有通孔以實現通過所述通孔到所述第二檢測像素的電耦合。

14.根據權利要求12所述的x射線成像設備，還包括在所述CMOS傳感器與所述閃爍體層之間的另外的閃爍體層，所述另外的閃爍體層與所述閃爍體層接觸，以在所述閃爍體層與所述第二檢測器陣列的外圍之間提供空間，使得電連接器能夠與所述第二檢測器陣列耦合。