[發明專利]碳化硅粉體

有效

• 申請號: 201480035422.0
• 申請日: 2014-06-20
• 公開（公告）號: CN105324332B
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發明（設計）人: 長谷和人
• 申請（專利權）人: 株式會社普利司通
• 主分類號: C01B32/956
• 分類號: C01B32/956;C04B35/565;C04B35/626
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

本發明是一種碳化硅粉體，其適用于生產高強度的碳化硅燒結體，其中：在由硅源、碳源和催化劑組成的混合物中的碳和硅的摩爾比是2.5以上；并且平均粒徑為10μm以上且25μm以下。

技術領域

本發明涉及一種碳化硅粉體。

背景技術

迄今為止，已經提出了一種高純度的碳化硅粉體的制造方法，其通過將在常溫下為液體的硅源(具體地，硅酸乙酯)、在常溫下為液體的碳源(具體地，酚醛樹脂)、和能夠溶解碳源的催化劑(具體地，馬來酸)混合。具體地，碳化硅粉體通過將含有硅源、碳源和催化劑的混合物加熱來生產(例如，專利文獻1)。

在使用馬來酸作為催化劑的情況下，與使用甲苯磺酸作為催化劑的情況相比，包含于碳化硅粉體中的硫磺的含量低。因此，使用馬來酸作為催化劑確保了適用于其中硫磺用作雜質的半導體領域的碳化硅粉體的生產。

另外，為了生產平均粒徑為100至200μm的碳化硅粉體，也已經提出了將含有硅源、碳源和催化劑的混合物分兩個階段加熱的技術。此外，也已知的是，當包含于碳源中的碳與包含于硅源中的硅之間的比(下文中，C/Si)大于2.0且小于2.5時，游離碳的量可以減少(例如，專利文獻2)。

引用列表

專利文獻

專利文獻1：日本專利申請公布No.Hei 10-120411

專利文獻2：日本專利申請公布No.2009-173501

發明內容

發明要解決的問題

同時，燒結的碳化硅通過以下來生產：將碳化硅粉體粉碎，將粉碎的碳化硅粉體(下文中，粉碎的粉體)放置在燒結體模具中，并且將放置在所述燒結體模具中的粉碎的粉體燒結。要求此類燒結的碳化硅作為高強度的燒結的碳化硅。

作為深入研究的結果，本發明人已經發現了用于生產高強度的燒結的碳化硅的適當的C/Si和適當的碳化硅粉體的平均粒徑。

因此，已經做出本發明來滿足上述要求。本發明的目的是提供一種碳化硅粉體，其適用于生產高強度的燒結的碳化硅。

用于解決問題的方案

根據第一特征的碳化硅粉體的特征在于：包含于含有硅源、碳源和催化劑的混合物中的碳與包含于所述混合物中的硅之間的比以摩爾比計是2.5以上。所述碳化硅粉體的平均粒徑為10μm以上且25μm以下。

在第一特征中，在所述碳化硅粉體的粒徑分布中，具有較小的粒徑的累積顆粒占有90％時的粒徑是大于25μm且不大于50μm。

在第一特征中，所述硅源是硅酸甲酯。

發明的效果

本發明可以提供一種碳化硅粉體，其適用于生產高強度的燒結的碳化硅。

附圖說明

圖1是說明根據第一實施方案的碳化硅粉體的制造方法的流程圖。

圖2是根據第一實施方案的碳化硅粉體的粒徑分布的圖。

圖3是示出實驗結果的表。

具體實施方式

下文中，根據本發明的實施方案的碳化硅粉體將參考圖來描述。注意的是，在圖的以下說明中，相同或相似的附圖標記表示相同或相似的元素和部分。