[發明專利]用于制造抗反射層的方法

有效

• 申請號: 201480034915.2
• 申請日: 2014-06-02
• 公開（公告）號: CN105378509B
• 公開（公告）日: 2017-06-20
• 發明（設計）人: U.舒爾茨;P.芒策特;F.里克爾特;N.凱澤
• 申請（專利權）人: 弗勞恩霍弗實用研究促進協會
• 主分類號: G02B1/118
• 分類號: G02B1/118;B29C59/14;G02B1/12
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 盧江,張濤

1.用于在襯底（10）上制造抗反射層的方法，所述方法包括以下方法步驟：

- 在第一材料中借助第一等離子體蝕刻工藝產生第一納米結構（11），其中所述第一材料是所述襯底（10）的材料或者是施加到所述襯底（10）上的由第一有機材料制成的層（1）的材料；

- 施加由第二材料制成的層（2）到所述第一納米結構（11）上，其中所述第二材料是有機材料；以及

- 在由所述第二材料制成的層（2）中借助第二等離子體蝕刻工藝產生第二納米結構（12），其中所述第二材料在所述第二等離子體蝕刻工藝的執行中相比所述第一材料具有較大的蝕刻速率。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一納米結構（11）具有在100nm和200nm之間的深度。

3.根據以上權利要求中任一項所述的方法，其中借助所述第一納米結構（11）在所述第一材料中產生折射率梯度，使得所述折射率隨著與所述襯底的增加的間距而減小。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述第一納米結構（11）具有在1.25和1.4之間的平均有效折射率n₁。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其中施加由所述第二材料制成的具有在200nm和400nm之間的層厚度的層（2）到所述第一納米結構（11）上。

6.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述第二納米結構（12）具有在100nm和200nm之間的深度。

7.根據權利要求1或2所述的方法，其中借助所述第二納米結構（12）在由所述第二材料制成的層（2）中產生折射率梯度，使得所述折射率隨著與所述襯底（10）的增加的間距而減小。

8.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述第二納米結構（12）具有在1.08和1.25之間的平均有效折射率n₂。

9.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述第一納米結構（11）和/或所述第二納米結構（12）分別具有以突起部、凹部和/或小孔形式的結構元件，所述結構元件的寬度平均小于150nm。

10.根據權利要求1或2所述的方法，其中在施加由所述第二材料制成的層（2）之前施加蝕刻終止層（3）到所述第一納米結構（11）上，其中所述蝕刻終止層（3）具有不大于30nm的厚度。

11.根據權利要求1或2所述的方法，其中在產生所述第二納米結構（12）之后施加保護層（4）到所述第二納米結構（12）上，其中所述保護層（4）具有不大于30nm的厚度。

12.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述第一材料是所述襯底（10）的材料并且所述襯底（10）具有PMMA、聚碳酸酯、環烯烴、聚酰胺或者PTFE。

13.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述第一材料是施加到所述襯底（10）上的由第一有機材料制成的層（1）的材料。

14.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述襯底（10）是彎曲的襯底。

15.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述襯底（10）具有折射率n_s<1.7。