[發(fā)明專利]數(shù)據(jù)存儲設(shè)備和用于減少電流瞬態(tài)的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480034833.8
• 申請日: 2014-06-18
• 公開（公告）號: CN105324818B
• 公開（公告）日: 2018-08-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: W·K·萊爾德;J·R·阿格尼斯;H·S·翁;R·P·梅奧
• 申請（專利權(quán)）人: 西部數(shù)據(jù)技術(shù)公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

一種數(shù)據(jù)存儲設(shè)備(DSD)，該數(shù)據(jù)存儲設(shè)備(DSD)包括來自主機(jī)的電源以及電荷存儲元件。在來自主機(jī)的電源上檢測到電流瞬態(tài)，并且確定該電流瞬態(tài)是否超過電流閾值。當(dāng)電流瞬態(tài)超過電流閾值時，從電荷存儲元件汲取功率以減小從主機(jī)汲取的功率。

背景技術(shù)

計(jì)算機(jī)和其它電子設(shè)備的新的形狀因子常常需要新的功率要求。此外，針對設(shè)備的增加的便攜性和更長的電池壽命可能需要更加嚴(yán)格的功率要求。例如，數(shù)據(jù)存儲設(shè)備(DSD)(例如，固態(tài)驅(qū)動器(SSD)、固態(tài)混合驅(qū)動器(SSHD)或者硬盤驅(qū)動器(HDD))在可以從主機(jī)汲取多少電流方面可能會受到限制。

為了滿足電流限制或者電流閾值，當(dāng)電流開始超過電流閾值時DSD減小電流。減小電流常常需要降低DSD的性能，以便從主機(jī)汲取更少的電流。

附圖說明

通過以下結(jié)合附圖所闡述的具體實(shí)施方式，本公開內(nèi)容的實(shí)現(xiàn)方式的特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加顯而易見。提供附圖和相關(guān)聯(lián)的描述是為了說明本公開內(nèi)容的實(shí)現(xiàn)方式，而不是為了限制所要求保護(hù)的范圍。

圖1示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)現(xiàn)方式的SSD的電流調(diào)節(jié)電路和開關(guān)控制電路的框圖；

圖2示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)現(xiàn)方式的SSD的電流調(diào)節(jié)電路和開關(guān)控制電路的框圖；

圖3示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)現(xiàn)方式的HDD的電流調(diào)節(jié)電路和開關(guān)控制電路的框圖；

圖4示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)現(xiàn)方式的HDD的電流調(diào)節(jié)電路和開關(guān)控制電路的框圖；

圖5示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)現(xiàn)方式的SSHD的電流調(diào)節(jié)電路和開關(guān)控制電路的框圖；

圖6示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)現(xiàn)方式的SSHD的電流調(diào)節(jié)電路和開關(guān)控制電路的框圖；

圖7示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)現(xiàn)方式的、在不使用電荷存儲元件的情況下的電壓和電流的圖；

圖8示出了圖7的圖的放大視圖；

圖9示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)現(xiàn)方式的、在使用電荷存儲元件時的電壓和電流的圖；

圖10示出了圖9的圖的放大視圖；以及

圖11示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)現(xiàn)方式的流程圖。

具體實(shí)施方式

在以下具體實(shí)施方式中，為了提供對本公開內(nèi)容的充分理解，闡述了很多具體細(xì)節(jié)。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將顯而易見的是，可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)施所公開的各個實(shí)現(xiàn)方式。在其它實(shí)例中，沒有詳細(xì)示出公知結(jié)構(gòu)和技術(shù)，以免不必要地混淆各個實(shí)現(xiàn)方式。

圖1示出了具有電源電路102的電路100的框圖，其中電源電路102耦合到主機(jī)電路101。電源電路102例如可以與用于SSD或者SSHD(包括固態(tài)存儲器)的電源電路相對應(yīng)。

盡管本文的描述通常是指固態(tài)存儲器，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，特定的實(shí)現(xiàn)方式可以包括各種類型的固態(tài)存儲器中的一個或多個，例如硫族化合物RAM(C-RAM)、相變存儲器(PC-RAM或者PRAM))、可編程金屬化單元RAM(PMC-RAM或者PMCm)、雙向統(tǒng)一存儲器(OUM)、電阻RAM(RRAM)、NAND存儲器(例如，單級單元(SLC)存儲器、多級單元(MLC)存儲器，或者其任意組合)、NOR存儲器、EEPROM、鐵電存儲器(FeRAM)、磁阻RAM(MRAM)、其它分立NVM(非易失性存儲器)芯片或者其任意組合。

在圖1的例子中，電源電路102包括電荷存儲元件110、接地105、隔離電路120、電阻器140、主機(jī)電流感測單元150、二極管160、電流調(diào)節(jié)電路180、SSD調(diào)節(jié)器185以及SSD負(fù)載190。電源電路102可選地包括電阻器141和負(fù)載電流感測單元151。主機(jī)電路101包括耦合到接地105的主機(jī)電源130。