[發明專利]n型有機半導體薄膜的制造方法

有效

• 申請號: 201480034764.0
• 申請日: 2014-06-17
• 公開（公告）號: CN105308729B
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發明（設計）人: 大谷直樹
• 申請（專利權）人: 日產化學工業株式會社
• 主分類號: H01L21/368
• 分類號: H01L21/368;B05D7/24;B32B9/00;C07H15/203;H01L51/46
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王永紅

1.n型有機半導體薄膜的制造方法，其特征在于，將含有式(1)所示的富勒烯衍生物的溶液在基材涂布、在450℃以上進行燒成，

式中，R¹～R⁵分別獨立地表示氫原子、糖基、或糖基的任意羥基被取代基取代的糖基即取代糖基，R⁶表示碳原子數1～5的烷基，其中，R¹～R⁵中的至少1個為所述糖基或取代糖基。

2.根據權利要求1所述的n型有機半導體薄膜的制造方法，其中，所述糖基或取代糖基為選自式(2)、式(3)及式(4)中的至少1個基團，

式中，R⁷～R¹⁵分別獨立表示氫原子、氨基、硫醇基、羧基、磷酸基、磷酸酯基、酯基、硫酯基、酰胺基、硝基、一價烴基、有機氨基、有機甲硅烷基、有機硫基、酰基、烷基醚基、或磺基。

3.根據權利要求1或2所述的n型有機半導體薄膜的制造方法，其中，所述取代基為碳原子數1～10的烷基、芐基、對甲氧基芐基、甲氧基甲基、2-四氫吡喃基、乙氧基乙基、乙酰基、新戊酰基、苯甲酰基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、三異丙基甲硅烷基、或叔丁基二苯基甲硅烷基。

4.n型有機半導體薄膜，其通過權利要求1～3中任一項所述的制造方法得到。

5.根據權利要求4所述的n型有機半導體薄膜，其算術平均粗糙度Ra為膜厚的2％以上，最大高度Rz為膜厚的40％以上，電離電勢為6.0eV以上。

6.有機太陽能電池，其具有權利要求4或5所述的n型有機半導體薄膜。