[發明專利]薄膜傳感器

有效

• 申請號: 201480032502.0
• 申請日: 2014-05-08
• 公開（公告）號: CN105393099B
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發明（設計）人: 斯蒂恩·莫利伯哲哥·瑪珍
• 申請（專利權）人: 丹佛斯有限公司
• 主分類號: G01L9/00
• 分類號: G01L9/00;G01L9/04
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳敬蓮

1.一種傳感器(1)，包括：

-一個膜，

-一個隔離層(3)，該隔離層被安排在該膜上，

-測量電子器件，該測量電子器件包括沉積在該隔離層(3)上的一個薄膜電路(4)，以及

-一個電源(14)，該電源被安排成向該薄膜電路(4)供應一個準直流電壓，

其中所述準直流電壓包括準直流電壓信號，所述準直流電壓信號在高電壓電平和低電壓電平之間交替切換，使得當所述低電壓電平被供應給所述薄膜電路的第二供應節點時，所述高電壓電平被供應給所述薄膜電路的第一供應節點；在特定時間間隔，所述高電壓電平與所述低電壓電平是顛倒的，使得所述低電壓電平被供應給所述第一供應節點并且所述高電壓電平被供應給所述第二供應節點，

其中所述測量電子器件還包括切換安排，所述切換安排包括交替地打開和閉合的四個開關以將所述準直流電壓信號供給至薄膜電路。

2.根據權利要求1所述的傳感器(1)，其中，該薄膜電路(4)是或包括一個惠斯通電橋。

3.根據權利要求1或2所述的傳感器(1)，其中，該隔離層(3)是由SiO₂制成的。

4.根據以上權利要求中任一項所述的傳感器(1)，其中，該膜被安裝在一個支撐結構(2)上或形成其一部分。

5.根據權利要求4所述的傳感器(1)，進一步包括一個導電防護層，該導電防護層被安排在該薄膜電路(4)和該支撐結構(2)之間。

6.根據以上權利要求中任一項所述的傳感器(1)，其中，該薄膜電路(4)是基于金屬的。

7.根據以上權利要求中任一項所述的傳感器(1)，其中，該薄膜電路(4)是由NiCr制成的。

8.根據以上權利要求中任一項所述的傳感器(1)，其中，該傳感器(1)是一個應變儀。

9.根據以上權利要求中任一項所述的傳感器(1)，其中，該傳感器(1)是一個壓力傳感器。

10.根據以上權利要求中任一項所述的傳感器(1)，其中，所述切換安排(9)被安排成生成一個準直流電壓信號并且向該薄膜電路(4)供應該生成的準直流電壓信號。