[發明專利]在微機電系統感測器中黏滯力減少的方法

有效

• 申請號: 201480032151.3
• 申請日: 2014-05-23
• 公開（公告）號: CN105431374B
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發明（設計）人: 席琳娜·張;寧·提
• 申請（專利權）人: 應美盛股份有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02
• 代理公司: 北京寰華知識產權代理有限公司11408
• 代理人: 林柳岑

1.一種減少MEMS裝置的黏滯力的方法，其包括：

為在形成于襯底上的緩沖塊上收集的電荷提供導電路徑，

其中所述緩沖塊通過在所述襯底上沉積且圖案化介電材料形成，

其中所述導電路徑由沉積在所述緩沖塊上的第一導電層提供，以及

其中第二導電層放置在所述緩沖塊和所述襯底之間，并且其中所述第二導電層和所述第一導電層包圍所述緩沖塊。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一導電層由氮化鈦、尖晶石鈦酸鋰、二氧化鈦或類金剛石碳制成。

3.根據權利要求1所述的方法，介電材料由二氧化硅、亞硝酸硅或氧化鋁制成。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二導電層的一部分是絕緣的。

5.根據權利要求4所述的方法，其中將電壓電位施加到所述第一導電層。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述電壓電位實質上和與所述襯底相對的MEMS結構相同。

7.根據權利要求5所述的方法，其中所述電壓電位和與所述襯底相對的MEMS結構相同的極性。

8.一種減少MEMS裝置的黏滯力的方法，其包括：

粗糙化在形成于襯底上的緩沖塊上的第一導電層以減少接觸面積，所述第一導電層為在所述緩沖塊上收集的電荷提供導電路徑，

其中所述緩沖塊通過在所述襯底上沉積且圖案化介電材料形成，以及

其中第二導電層放置在所述緩沖塊和所述襯底之間，并且其中所述第二導電層和所述第一導電層包圍所述緩沖塊。

9.根據權利要求8所述的方法，其中粗糙化的步驟通過化學氣相沉積、物理氣相沉積、蒸發或濺鍍加法式地執行。

10.根據權利要求8所述的方法，其中所述粗糙化的步驟通過干式蝕刻或濕式蝕刻減法式地執行。

11.一種MEMS裝置，其包括：

MEMS致動器；

與所述MEMS致動器相對的襯底；以及

形成于所述襯底上以限制所述MEMS致動器的運動的緩沖塊，

其中所述緩沖塊由介電材料形成且覆蓋有第一導電層以為在所述緩沖塊上收集的電荷提供導電路徑，以及

其中第二導電層放置在所述緩沖塊和所述襯底之間，并且其中所述第二導電層和所述第一導電層包圍所述緩沖塊。

12.根據權利要求11所述的MEMS裝置，其中所述第二導電層是電極。

13.根據權利要求11所述的MEMS裝置，其中所述第二導電層的一部分是絕緣的。

14.根據權利要求11所述的MEMS裝置，其中所述第二導電層的一部分是絕緣的且將電壓電位應用到所述第一導電層的部分。

15.根據權利要求14所述的MEMS裝置，其中所述電壓電位實質上與所述MEMS致動器的電壓電位相同。

16.根據權利要求14所述的MEMS裝置，其中所述電壓電位具有與所述MEMS致動器的極性相同的極性。

17.根據權利要求11所述的MEMS裝置，其中所述第一導電層具有用于減少與所述MEMS致動器的接觸面積的粗糙表面。

18.根據權利要求11所述的MEMS裝置，其中所述襯底是半導體襯底。

19.根據權利要求11所述的MEMS裝置，其中所述襯底包含電氣組件。