[發(fā)明專利]稀土磁體及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480031731.0 | 申請日： | 2014-06-05 |
| 公開（公告）號： | CN105518809B | 公開（公告）日： | 2018-11-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 伊東正朗;矢野正雄;岸本秀史;佐久間紀(jì)次;莊司哲也;真鍋明 | 申請（專利權(quán)）人： | 豐田自動車株式會社 |
| 主分類號： | H01F1/057 | 分類號： | H01F1/057;B22F3/00;B22F3/24;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/08;H01F41/02 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 稀土 磁體 及其 制造 方法 | ||
1.稀土磁體，其具備晶粒，該晶粒具有(R2(1-x)R1x)yFe100-y-w-z-vCowBzTMv的整體組成，其中R2為Nd和Pr中的至少一種，R1為Ce、La、Gd、Y、Sc中的至少一種或兩種以上的合金，TM為Ga、Al、Cu、Au、Ag、Zn、In、Mn中的至少一種，0＜x＜1，y＝12～20，z＝5.6～6.5，w＝0～8，v＝0～2，并且
該晶粒的平均粒徑為1000nm以下，由芯部及其周圍的外廓部構(gòu)成，芯部具有R1多于R2的組成或R1與R2的濃度相同的組成，外廓部具有R2多于R1的組成。
2.稀土磁體，其具備晶粒，該晶粒具有(Nd(1-x)Cex)yFe100-y-w-z-vCowBzTMv的整體組成，其中TM為Ga、Al、Cu、Au、Ag、Zn、In、Mn中的至少一種，0＜x＜1，y＝12～20，z＝5.6～6.5，w＝0～8，v＝0～2，并且
該晶粒的平均粒徑為1000nm以下，由芯部及其周圍的外廓部構(gòu)成，具有芯部中的Ce/(Nd+Ce)大于外廓部中的Ce/(Nd+Ce)的組成。
3.權(quán)利要求1或2所述的稀土磁體，其中所述晶粒的平均粒徑為500nm以下。
4.稀土磁體的制造方法，其包括：
第一步驟，使用磁粉，進(jìn)行熱壓制造稀土磁體前體，該磁粉具有(R2(1-x)R1x)yFe100-y-w-z-vCowBzTMv的組成，其中R2為Nd和Pr中的至少一種，R1為Ce、La、Gd、Y、Sc中的至少一種或兩種以上的合金，TM為Ga、Al、Cu、Au、Ag、Zn、In、Mn中的至少一種，0＜x≤1，y＝12～20，z＝5.6～6.5，w＝0～8，v＝0～2，
第二步驟，其中通過使包含R2元素或R2-TM合金的改性金屬在所述稀土磁體前體中擴(kuò)散滲透，制造具備晶粒的稀土磁體，該晶粒的平均粒徑為1000nm以下并由芯部及其周圍的外廓部構(gòu)成，該芯部具有R1多于R2的組成或R1與R2的濃度相同的組成，該外廓部具有R2多于R1的組成。
5.權(quán)利要求4所述的稀土磁體的制造方法，其中在所述第一步驟中，進(jìn)行熱壓加工制造成形體，對該成形體進(jìn)行熱塑性加工制造稀土磁體前體。
6.權(quán)利要求4或5所述的稀土磁體的制造方法，其中所述晶粒的平均粒徑為500nm以下。
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