[發(fā)明專利]檢測(cè)機(jī)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480030621.2
• 申請(qǐng)日: 2014-06-24
• 公開（公告）號(hào): CN105393401B
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 松村直樹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號(hào): H01M10/48
• 分類號(hào): H01M10/48;H01M10/04
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 高見

1.一種檢測(cè)機(jī)構(gòu)，包括：

被布置在電池的陰極和陽(yáng)極之間的介電材料中的檢測(cè)柵格；以及

檢測(cè)電路，所述檢測(cè)電路用于直接測(cè)量所述陽(yáng)極與所述檢測(cè)柵格之間的阻抗值，

其中所述檢測(cè)電路使用所述阻抗值來(lái)檢測(cè)在所述陽(yáng)極處形成的沉積物何時(shí)與所述檢測(cè)柵格接觸，并且其中所述檢測(cè)電路選擇成施加高電壓脈沖以使所述沉積物瓦解。

2.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)機(jī)構(gòu)，其特征在于，所述檢測(cè)柵格包括開口以允許所述陰極和所述陽(yáng)極之間的離子流動(dòng)。

3.如權(quán)利要求2所述的檢測(cè)機(jī)構(gòu)，其特征在于，在陽(yáng)極處形成的沉積物包括枝狀晶體。

4.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)機(jī)構(gòu)，其特征在于，所述檢測(cè)電路用于將所述檢測(cè)柵格互通地耦合至所述陽(yáng)極，其中當(dāng)沉積物接觸所述檢測(cè)柵格時(shí)所述檢測(cè)電路選擇成減少電池的充電活動(dòng)。

5.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)機(jī)構(gòu)，其特征在于，所述檢測(cè)柵格由導(dǎo)電材料構(gòu)成。

6.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)機(jī)構(gòu)，其特征在于，包括被布置在所述電池的陰極和陽(yáng)極之間的第二檢測(cè)柵格。

7.如權(quán)利要求6所述的檢測(cè)機(jī)構(gòu)，其特征在于，所述第二檢測(cè)柵格相對(duì)于第一檢測(cè)柵格在橫向上錯(cuò)開。

8.一種檢測(cè)機(jī)構(gòu)，包括：

被布置在電池的陰極和陽(yáng)極之間的介電材料；

被布置在所述介電材料中的檢測(cè)柵格；以及

檢測(cè)電路，所述檢測(cè)電路用于直接測(cè)量所述陽(yáng)極與所述檢測(cè)柵格之間的阻抗值，

其中所述檢測(cè)電路使用所述阻抗值來(lái)檢測(cè)在所述陽(yáng)極處形成的沉積物何時(shí)與所述檢測(cè)柵格接觸，并且其中所述檢測(cè)電路選擇成施加高電壓脈沖以使所述沉積物瓦解。

9.如權(quán)利要求8所述的檢測(cè)機(jī)構(gòu)，其特征在于，所述檢測(cè)柵格包括開口以允許所述陰極和所述陽(yáng)極之間的離子流動(dòng)。

10.如權(quán)利要求9所述的檢測(cè)機(jī)構(gòu)，其特征在于，在陽(yáng)極處形成的沉積物包括枝狀晶體。

11.如權(quán)利要求8、9或10中任一項(xiàng)所述的檢測(cè)機(jī)構(gòu)，其特征在于，包括將所述檢測(cè)柵格互通地耦合至陽(yáng)極的檢測(cè)電路，其中當(dāng)沉積物接觸所述檢測(cè)柵格時(shí)所述檢測(cè)電路選擇成減少電池的充電活動(dòng)。

12.如權(quán)利要求8、9、或10中任一項(xiàng)所述的檢測(cè)機(jī)構(gòu)，其特征在于，所述檢測(cè)柵格由導(dǎo)電材料構(gòu)成。

13.如權(quán)利要求8、9、或10中任一項(xiàng)所述的檢測(cè)機(jī)構(gòu)，其特征在于，包括被布置在所述電池的陰極和陽(yáng)極之間的第二檢測(cè)柵格。

14.如權(quán)利要求13所述的檢測(cè)機(jī)構(gòu)，其特征在于，所述第二檢測(cè)柵格相對(duì)于所述檢測(cè)柵格在橫向上錯(cuò)開。

15.一種用于形成檢測(cè)機(jī)構(gòu)的方法，包括：

形成被布置在電池的陰極和陽(yáng)極之間的檢測(cè)柵格；以及

形成用于將所述檢測(cè)柵格互通地耦合至所述陽(yáng)極的接口，其中所述接口包括檢測(cè)電路，所述檢測(cè)電路用于直接測(cè)量所述陽(yáng)極與所述檢測(cè)柵格之間的阻抗值，

其中所述檢測(cè)電路使用所述阻抗值來(lái)檢測(cè)在所述陽(yáng)極處形成的沉積物何時(shí)接觸所述檢測(cè)柵格，并且其中所述檢測(cè)電路選擇成施加高電壓脈沖以使所述沉積物瓦解。

16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述檢測(cè)柵格界定開口以允許所述陰極和所述陽(yáng)極之間的離子流動(dòng)。

17.如權(quán)利要求15或16中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述檢測(cè)柵格被形成為通過所述接口經(jīng)由檢測(cè)電路互通地耦合至所述陽(yáng)極，其中當(dāng)沉積物接觸所述檢測(cè)柵格時(shí)所述檢測(cè)電路選擇成減少電池的充電活動(dòng)。