[發(fā)明專利]有機(jī)LED元件、有機(jī)LED元件的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480028492.3
• 申請(qǐng)日: 2014-04-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105745997A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 中村伸宏;桔裕子;石橋奈央
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 旭硝子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H05B33/10
• 分類號(hào): H05B33/10;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/26
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 劉多益

1.一種有機(jī)LED元件，它是多個(gè)發(fā)光區(qū)域被串聯(lián)連接的有機(jī)LED元件，其特征在于，

所述發(fā)光區(qū)域具備

第一電極，和

第二電極；

鄰接的發(fā)光區(qū)域介由阻隔層來(lái)連接一個(gè)發(fā)光區(qū)域的第一電極和另一個(gè)發(fā)光區(qū)域的第二電極，

所述第一電極和所述阻隔層的界面區(qū)域、或所述第二電極和所述阻隔層的界面區(qū)域中的C濃度為10原子％以下。

2.一種有機(jī)LED元件，它是多個(gè)發(fā)光區(qū)域被串聯(lián)連接的有機(jī)LED元件，其特征在于，

所述發(fā)光區(qū)域具備

第一電極，和

第二電極；

鄰接的發(fā)光區(qū)域介由阻隔層來(lái)連接一個(gè)發(fā)光區(qū)域的第一電極和另一個(gè)發(fā)光區(qū)域的第二電極，

所述第二電極和所述阻隔層的界面區(qū)域中的O濃度為20原子％以下。

3.一種有機(jī)LED元件，它是多個(gè)發(fā)光區(qū)域被串聯(lián)連接的有機(jī)LED元件，其特征在于，

所述發(fā)光區(qū)域具備

第一電極，和

第二電極；

鄰接的發(fā)光區(qū)域介由阻隔層來(lái)連接一個(gè)發(fā)光區(qū)域的第一電極和另一個(gè)發(fā)光區(qū)域的第二電極，

所述第一電極和所述阻隔層的界面區(qū)域、或所述第二電極和所述阻隔層的界面區(qū)域中的H濃度為5原子％以下。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的有機(jī)LED元件，其特征在于，所述第一電極和所述阻隔層的界面區(qū)域包括相容層。

5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的有機(jī)LED元件，其特征在于，所述第二電極和所述阻隔層的界面區(qū)域包括相容層。

6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的有機(jī)LED元件，其特征在于，所述阻隔層由含有選自Cr、Mo、Ti、Ta、Pd、Pt的1種以上元素的金屬或合金構(gòu)成。

7.如權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的有機(jī)LED元件，其特征在于，

所述有機(jī)LED元件形成于基板上，

所述基板具備光獲取層。

8.一種有機(jī)LED元件的制造方法，它是多個(gè)發(fā)光區(qū)域被串聯(lián)連接的有機(jī)LED元件的制造方法，其特征在于，

具備

形成第一電極的第一電極形成工序，

形成阻隔層的阻隔層形成工序，和

形成第二電極的第二電極形成工序；

至少在從開(kāi)始所述第一電極形成工序到結(jié)束所述阻隔層形成工序之間、或在從開(kāi)始所述阻隔層形成工序到結(jié)束所述第二電極形成工序之間，在C濃度為5.0×10²¹原子/m³以下的氣氛下進(jìn)行各工序。

9.一種有機(jī)LED元件的制造方法，它是多個(gè)發(fā)光區(qū)域被串聯(lián)連接的有機(jī)LED元件的制造方法，其特征在于，

具備

形成第一電極的第一電極形成工序，

形成阻隔層的阻隔層形成工序，和

形成第二電極的第二電極形成工序；

至少在從開(kāi)始所述第一電極形成工序到結(jié)束所述阻隔層形成工序之間、或在從開(kāi)始所述阻隔層形成工序到結(jié)束所述第二電極形成工序之間，在O濃度為5.0×10²⁴原子/m³以下的氣氛下進(jìn)行各工序。

10.一種有機(jī)LED元件的制造方法，它是多個(gè)發(fā)光區(qū)域被串聯(lián)連接的有機(jī)LED元件的制造方法，其特征在于，

具備

形成第一電極的第一電極形成工序，

形成阻隔層的阻隔層形成工序，和

形成第二電極的第二電極形成工序；

至少在從開(kāi)始所述第一電極形成工序到結(jié)束所述阻隔層形成工序之間、或在從開(kāi)始所述阻隔層形成工序到結(jié)束所述第二電極形成工序之間，在H濃度為5.0×10²²原子/m³以下的氣氛下進(jìn)行各工序。

11.如權(quán)利要求8～10中任一項(xiàng)所述的有機(jī)LED元件的制造方法，其特征在于，所述阻隔層由含有選自Cr、Mo、Ti、Ta、Pd、Pt的1種以上元素的金屬或合金構(gòu)成。

12.如權(quán)利要求8～11中任一項(xiàng)所述的有機(jī)LED元件的制造方法，其特征在于，

所述有機(jī)LED元件形成于基板上，

所述基板具備光獲取層。