[發明專利]透明漫射性OLED基材及制造這樣的基材的方法有效
| 申請號: | 201480028340.3 | 申請日: | 2014-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN105189384B | 公開(公告)日: | 2019-04-30 |
| 發明(設計)人: | G.勒康;V.索維內;李榮盛 | 申請(專利權)人: | 法國圣戈班玻璃廠 |
| 主分類號: | C03C3/066 | 分類號: | C03C3/066;C03C8/02;C03C17/34 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 劉維升;李炳愛 |
| 地址: | 法國*** | 國省代碼: | 法國;FR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 透明 漫射 oled 基材 制造 這樣 方法 | ||
1.透明漫射性OLED基材,其包含下列連續的元件或層:
(a) 由具有介于1.45和1.65之間的折射率的礦物玻璃制成的透明平坦基材,
(b) 包含礦物顆粒的粗糙的低折射率層,所述礦物顆粒通過低折射率搪瓷粘合到所述基材的一側,在所述搪瓷的表面附近、所述搪瓷的表面處或自所述搪瓷的表面突出的礦物顆粒產生以介于0.15和3 μm之間的算術平均偏差Ra為特征的表面粗糙度,所述礦物顆粒和搪瓷兩者都具有介于1.45和1.65之間的折射率;
(c) 由具有介于1.8和2.1之間的折射率的搪瓷制成的覆蓋所述粗糙的低折射率層(b)的高折射率平坦化層,
其中所述低折射率搪瓷通過低折射率玻璃熔料的完全熔化獲得,所述低折射率玻璃熔料具有下列組成:SiO2:10-40 wt%,Al2O3:1-7 wt%,B2O3:20-50 wt%,Na2O + Li2O + K2O:5-30 wt%,和ZnO:3-35 wt%,并且礦物顆粒對玻璃熔料的重量比介于0.2和4之間。
2.根據權利要求1的基材,其中所述礦物顆粒具有介于0.3 μm和10 μm之間的平均等效球體直徑。
3.根據權利要求1的基材,其中所述礦物顆粒是固體珠粒。
4.根據權利要求1的基材,其中所述礦物顆粒不含具有大于15 μm的等效球體直徑的顆粒。
5.根據權利要求1的基材,其中所述基材、低折射率搪瓷和礦物顆粒的折射率介于1.50和1.60之間。
6.根據權利要求1的基材,其中所述高折射率平坦化層的厚度介于3 μm和20 μm之間。
7.根據權利要求1的基材,其中所述高折射率平坦化層的表面粗糙度具有小于3 nm的算術平均偏差Ra。
8.根據權利要求1的基材,其中所述高折射率平坦化層不含分散在其中的漫射性固體顆粒。
9.根據權利要求1的基材,其中所述礦物顆粒選自二氧化硅顆粒。
10.根據權利要求1的基材,其還包含高折射率搪瓷層上的透明導電層。
11.根據權利要求1的基材,其中所述礦物顆粒對所述低折射率搪瓷的體積比介于0.3和3之間。
12.用于制備根據權利要求1-11任一項的透明漫射性基材的方法,所述方法包括以下步驟:
(1) 提供由具有介于1.45和1.65之間的折射率的礦物玻璃制成的透明平坦基材;
(2) 將與具有比玻璃熔料的Tg高至少50℃的玻璃化轉變溫度(Tg)或熔融溫度的礦物顆粒混合的低折射率玻璃熔料施加到所述基材的一側上,所述玻璃熔料和所述礦物顆粒兩者都具有介于1.45和1.65之間的折射率;
(3) 將所得的玻璃熔料層加熱到能使所述玻璃熔料熔化而所述礦物顆粒不熔化的溫度,得到包含通過低折射率搪瓷粘合到所述基材的礦物顆粒的粗糙的低折射率層;
(4) 將具有介于1.8和2.1之間的折射率的高折射率玻璃熔料的層施加到所述粗糙的低折射率層上;
(5) 干燥和熔化所述高折射率玻璃熔料,以獲得覆蓋所述透明粗糙的低折射率層的具有介于1.8和2.1之間的折射率的高折射率搪瓷。
13.根據權利要求12的方法,其中所述礦物顆粒具有介于0.3 μm和10 μm之間的平均等效球體直徑。
14.根據權利要求12的方法,其中所述高折射率玻璃熔料的熔化在介于510℃和580℃之間的溫度下進行。
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