[發明專利]大面積閃爍體元件和輻射探測器以及使用其的輻射吸收事件定位系統

有效

• 申請號: 201480026491.5
• 申請日: 2014-05-04
• 公開（公告）號: CN105190358B
• 公開（公告）日: 2019-08-30
• 發明（設計）人: T·L·勞倫斯
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦有限公司
• 主分類號: G01T1/164
• 分類號: G01T1/164
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 李光穎;王英

1.一種裝置，包括：

閃爍體元件(22)，其包括：

厚度為·的·個閃爍體塊(60)，其被布置為形成厚度為·的陣列；以及

透明或半透明材料(62)，其被設置在所述陣列中的相鄰閃爍體塊之間。

2.如權利要求1所述的裝置，其中，被設置在所述陣列中的相鄰閃爍體塊之間的所述透明或半透明材料包括：

透明或半透明環氧樹脂或膠黏劑，其被設置在所述陣列中的相鄰閃爍體塊之間并將所述相鄰的閃爍體塊粘附在一起。

3.如權利要求2所述的裝置，其中，所述閃爍體元件是能夠支撐其自身重量的獨立式閃爍體元件，在所述閃爍體元件中，所述陣列中的所述閃爍體塊通過所述透明或半透明環氧樹脂或膠黏劑被保持在一起。

4.如權利要求1-3中的任一項所述的裝置，其中，沒有反射或不透明材料被設置在所述陣列中的相鄰閃爍體塊之間。

5.如權利要求1-4中的任一項所述的裝置，其中：

所述陣列中的所述·個閃爍體塊能夠響應于對輻射粒子的吸收而生成閃爍光并且具有針對所述閃爍光的為至少·＝1.8的折射率；并且

被設置在所述陣列中的相鄰閃爍體塊之間的所述透明或半透明材料具有針對所述閃爍光的為至少·＝1.6的折射率。

6.如權利要求1-5中的任一項所述的裝置，還包括：

反射層(26)，其被設置在所述閃爍體元件(22)的頂面上、在所述陣列中的全部·個閃爍體塊(60)之上。

7.如權利要求1-6中的任一項所述的裝置，還包括：

光探測器的陣列(24)，其被設置在所述閃爍體元件(22)的底面上并且被布置為探測在所述閃爍體元件中生成的閃爍光。

8.如權利要求7所述的裝置，其中，所述光探測器的陣列包括被單片地形成在硅襯底上的硅光電倍增器(SiPM)的陣列。

9.如權利要求7-8中的任一項所述的裝置，其中，所述閃爍體元件(22)和所述光探測器的陣列(24)定義被配置為探測511keV輻射的輻射探測器(20)。

10.如權利要求7-8中的任一項所述的裝置，其中，所述·個閃爍體塊是·個LSO、BGO、GSO或LYSO的塊。

11.如權利要求7-10中的任一項所述的裝置，還包括：

成像系統(10)，其包括：

輻射探測部件(18)，以及

圖像重建處理器(44)，其包括電子數據處理部件(34)，所述電子數據處理部件被配置為根據由所述輻射探測部件采集到的輻射數據來重建圖像；

其中，所述閃爍體元件(22)和所述光探測器的陣列(24)定義所述成像系統的所述輻射探測部件中的至少一個輻射探測器(20)。

12.如權利要求11所述的裝置，其中，所述成像系統為正電子發射斷層攝影(PET)成像系統或單光子發射計算機斷層攝影(SPECT)成像系統。

13.如權利要求11-12中的任一項所述的裝置，其中，所述成像系統還包括：

相互作用深度(DOI)處理器(32)，其包括電子數據處理部件，所述電子數據處理部件被配置為基于由輻射探測器的陣列(24)對由輻射吸收事件在所述閃爍體元件中生成的閃爍光的探測來估計在所述閃爍體元件(22)的所述厚度·上的發生所述輻射吸收事件的深度。

14.如權利要求11-13中的任一項所述的裝置，其中，所述成像系統還包括：

位置處理器(32)，其包括電子數據處理部件，所述電子數據處理部件被配置為基于由輻射探測器的陣列(24)對由輻射吸收事件在所述閃爍體元件(22)中生成的閃爍光的探測來定位所述輻射吸收事件。

15.如權利要求14所述的裝置，其中，所述位置處理器被配置為使用Anger邏輯來定位所述輻射吸收事件。

16.如權利要求14-15中的任一項所述的裝置，其中:

所述輻射探測部件包括所述閃爍體元件的陣列，所述閃爍體元件的所述陣列沒有反射或不透明材料被設置在所述閃爍體元件的所述陣列中的相鄰閃爍體元件之間。