[發(fā)明專利]離子注入系統(tǒng)中引出電極組件的電壓調制

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480025170.3
• 申請日: 2014-05-02
• 公開（公告）號: CN105474349B
• 公開（公告）日: 2018-02-02
• 發(fā)明（設計）人: 尼爾·科爾文;張錦程
• 申請（專利權）人: 艾克塞利斯科技公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01J37/08
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司11019
• 代理人: 壽寧,劉新宇

1.一種用于減少離子注入系統(tǒng)中的微粒污染的方法，該方法包括下列步驟：

提供離子注入系統(tǒng)，該離子注入系統(tǒng)包括：

離子源，

位置臨近離子源的引出電極組件，該引出電極組件包括由陶瓷隔片隔開的抑制電極和接地電極，該陶瓷隔片用于使所述抑制電極與所述接地電極電氣隔離，以及

端站，其配置成將工件傳遞進且傳遞出所述端站以選擇性將離子注入所述工件；

經由所述離子源與所述位置臨近離子源的引出電極組件協(xié)同操作而形成離子束，包括向所述離子源施加陰極電壓以在其中生成離子，并且向所述位置臨近離子源的引出電極組件施加抑制電壓以阻礙所述離子束中的電子卷入所述離子源；

在所述端站與外部環(huán)境之間交換工件，以便每當完成充分的注入，便將經處理的工件從端站傳送到外部環(huán)境中，并且將未經處理的工件從外部環(huán)境傳送到端站中以進行離子注入；以及

基本在將經處理的工件從端站傳送到外部環(huán)境中并且將未經處理的工件從外部環(huán)境傳送到端站中以進行離子注入的交換步驟的同時調制向所述位置臨近離子源的引出電極組件施加的抑制電壓，由此誘發(fā)交換步驟期間穿過所述引出電極組件的所述陶瓷隔片的電流，以移除所述引出電極組件表面上的沉淀物，并且減輕工件的后續(xù)污染。

2.如權利要求1所述的方法，其中，調制向位置臨近離子源的所述引出電極組件施加的所述抑制電壓包括在一個或多個周期內周期性改變所述抑制電壓。

3.如權利要求1所述的方法，其中，使先前所沉積的材料沉淀離開所述位置臨近離子源的引出電極組件。

4.一種改進的對于減少其中的微粒污染的離子注入系統(tǒng)，該離子注入系統(tǒng)包括：

離子源，

位置臨近離子源的引出電極組件，用于自其中引出離子，該引出電極組件包括由陶瓷隔片隔開的抑制電極和接地電極，該陶瓷隔片用于使所述抑制電極與所述接地電極電氣隔離，以及

端站，其配置成在該端站與外部環(huán)境之間交換工件，以便每當完成充分的注入，便將經處理的工件從端站傳送到外部環(huán)境中，并且將未經處理的工件從外部環(huán)境傳送到端站中以選擇性將離子注入所述工件；

所述系統(tǒng)包括控制器，其配置成基本在交換工件的同時選擇性調制向所述位置臨近離子源的引出電極組件施加的電壓，由此誘發(fā)交換工件期間穿過所述引出電極組件的所述陶瓷隔片的電流以移除所述引出電極組件表面上的沉淀物，并且減輕工件的后續(xù)污染。

5.如權利要求4所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述控制器進一步配置成選擇性調制施加于所述離子源的電壓以免其中形成離子。