[發明專利]穿透硅通孔的制造方法有效
| 申請號： | 201480024622.6 | 申請日： | 2014-04-30 |
| 公開（公告）號： | CN105493277A | 公開（公告）日： | 2016-04-13 |
| 發明（設計）人： | 安熙均;安相旭;李龍云;鄭喜燦;李道永 | 申請（專利權）人： | （株）賽麗康 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48;H01L23/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 王瑩;張晶 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 穿透 硅通孔 制造 方法 | ||
1.一種穿透硅通孔的制造方法，其特征在于，所述穿透硅通孔 的制造方法包括以下步驟：
利用溝槽型元件隔離工藝來在第一晶圓上形成溝槽型元件隔離 膜；
翻轉所述第一晶圓并薄化所述第一晶圓的背面，直到露出所述溝 槽型元件隔離膜；
在所述第一晶圓背面上通過圖案化和蝕刻來去除所述溝槽型元 件隔離膜內部的半導體物質；以及
通過填充在已去除所述半導體物質的溝槽型元件隔離膜內部來 形成所述穿透硅通孔。
2.一種穿透硅通孔的制造方法，其特征在于，所述穿透硅通孔 的制造方法包括以下步驟：
利用溝槽型元件隔離工藝來在第一晶圓上形成溝槽型元件隔離 膜；
通過圖案化和蝕刻來去除所述溝槽型元件隔離膜內部的半導體 物質；
通過填充在已去除所述半導體物質的溝槽型元件隔離膜內部來 形成穿透硅通孔；以及
翻轉所述第一晶圓并薄化所述第一晶圓的背面，直到露出所述穿 透硅通孔。
3.一種穿透硅通孔的制造方法，其特征在于，所述穿透硅通孔 的制造方法包括以下步驟：
利用溝槽型元件隔離工藝來在第一晶圓上形成溝槽型元件隔離 膜；
在所述第一晶圓的形成有溝槽型元件隔離膜的一面的上部接合 第二晶圓；
翻轉所述第一晶圓并薄化所述第一晶圓的背面，直到露出所述溝 槽型元件隔離膜；
在所述第一晶圓背面上通過圖案化和蝕刻來去除所述溝槽型元 件隔離膜內部的半導體物質；以及
通過填充在已去除所述半導體物質的溝槽型元件隔離膜內部來 形成穿透硅通孔。
4.一種穿透硅通孔的制造方法，其特征在于，所述穿透硅通孔 的制造方法包括以下步驟：
利用溝槽型元件隔離工藝來在第一晶圓上形成溝槽型元件隔離 膜；
通過圖案化和蝕刻來去除所述溝槽型元件隔離膜內部的半導體 物質；
通過填充在已去除所述半導體物質的溝槽型元件隔離膜內部來 形成穿透硅通孔；
在所述第一晶圓的形成有穿透硅通孔的一面的上部接合第二晶 圓；以及
翻轉所述第一晶圓并薄化所述第一晶圓的背面，直到露出所述穿 透硅通孔。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的穿透硅通孔的制造方法， 其特征在于，所述穿透硅通孔的截面形狀為圓形或者多邊形。
6.根據權利要求1至4中任一項所述的穿透硅通孔的制造方法， 其特征在于，所述溝槽型元件隔離膜的縱橫比為1至1000。
7.根據權利要求1至4中任一項所述的穿透硅通孔的制造方法， 其特征在于，所述穿透硅通孔的縱橫比為1至1000。
8.根據權利要求1至4中任一項所述的穿透硅通孔的制造方法， 其特征在于，在形成所述溝槽型元件隔離膜的工藝中，所述溝槽型元 件隔離膜是使用臭氧-四乙基原硅酸鹽(TEOS)、四乙基原硅酸鹽 (TEOS)、高密度等離子體(HDP)、旋涂玻璃(SOG)或者多聚體 來填充內部。
9.根據權利要求1至4中任一項所述的穿透硅通孔的制造方法， 其特征在于，在去除所述溝槽型元件隔離膜內部的所述半導體物質的 工藝是通過干式蝕刻或者濕式蝕刻來進行的。
10.根據權利要求1至4中任一項所述的穿透硅通孔的制造方法， 其特征在于，形成所述溝槽型元件隔離膜的工藝是采用深溝槽型元件 隔離工藝或者淺溝槽型元件隔離工藝來進行的。
11.根據權利要求1至4中任一項所述的穿透硅通孔的制造方法， 其特征在于，所述穿透硅通孔形成步驟是將導電性物質或者半導體物 質填充到所述溝槽型元件隔離膜的內部。
12.根據權利要求11所述的穿透硅通孔的制造方法，所述穿透硅 通孔形成步驟在利用導電性物質或者半導體物質來填充所述溝槽型 元件隔離膜內部后還進行平坦化工藝。
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