[發明專利]用于電池供電裝置的電池反接保護

有效

• 申請號: 201480024163.1
• 申請日: 2014-03-06
• 公開（公告）號: CN105247751B
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發明（設計）人: 伊戈爾·戈夫曼爾
• 申請（專利權）人: 安晟信醫療科技控股公司
• 主分類號: H02H11/00
• 分類號: H02H11/00;H02J7/00
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司11290
• 代理人: 曹正建,陳桂香

1.一種電池反接保護電路，其包括：

第一P溝道MOSFET，其具有柵極、漏極和源極；

第二P溝道MOSFET，其具有柵極、與所述第一P溝道MOSFET的柵極連接的漏極、以及與所述第一P溝道MOSFET的源極連接的源極；

第一N溝道MOSFET，其具有與所述第二P溝道MOSFET的柵極連接的柵極、與所述第二P溝道MOSFET的漏極以及所述第一P溝道MOSFET的柵極連接的漏極、以及源極；

第一負載端子，其與所述第一P溝道MOSFET的漏極連接；

第一正電池端子連接器，其與所述第一P溝道MOSFET的源極以及所述第二P溝道MOSFET的源極連接，所述第一正電池端子連接器被構造成電連接到第一電池端子；

第二正電池端子連接器，其與所述第一N溝道MOSFET的柵極以及所述第二P溝道MOSFET的柵極連接，所述第二正電池端子連接器被構造成電連接到第二電池端子；

第一負電池端子連接器，其被構造成電連接到第三電池端子；

第二負電池端子連接器，其被構造成電連接到第四電池端子；以及

第二負載端子，

其中，所述第一負電池端子連接器、所述第二負電池端子連接器、所述第二負載端子和所述第一N溝道MOSFET的源極彼此連接。

2.如權利要求1所述的電池反接保護電路，其還包括：

第三P溝道MOSFET，其具有柵極、與所述第一負載端子以及所述第一P溝道MOSFET的漏極連接的漏極、以及與所述第二正電池端子連接器連接的源極；

第四P溝道MOSFET，其具有與所述第一正電池端子連接器連接的柵極、與所述第三P溝道MOSFET的柵極連接的漏極、以及與所述第三P溝道MOSFET的源極以及所述第二正電池端子連接器連接的源極；以及

第二N溝道MOSFET，其具有與所述第四P溝道MOSFET的柵極以及所述第一正電池端子連接器連接的柵極、與所述第四P溝道MOSFET的漏極以及所述第三P溝道MOSFET的柵極連接的漏極、以及與所述第一負電池端子連接器、所述第二負電池端子連接器、所述第二負載端子和所述第一N溝道MOSFET的源極連接的源極。

3.如權利要求2所述的電池反接保護電路，其中，

所述第一正電池端子連接器和所述第一負電池端子連接器被構造成電連接到第一電池的各個電池端子；以及

所述第二正電池端子連接器和所述第二負電池端子連接器被構造成電連接到第二電池的各個電池端子。

4.如權利要求2所述的電池反接保護電路，其中，

所述第一正電池端子連接器具有側面接觸式構造；以及

所述第二正電池端子連接器具有側面接觸式構造。

5.一種電池供電生物傳感器儀，其包括：

微控制器，其被構造成確定液體中的分析物的特性；

存儲器，其與所述微控制器連接，以存儲測量結果；

電池座，其被構造成接收多個電池；

如權利要求2所述的電池反接保護電路，其與所述電池座、所述微控制器和所述存儲器連接；以及

外殼，其被構造成容納所述微控制器、所述存儲器、所述電池座和如權利要求2所述的所述電池反接保護電路。

6.一種保護負載免受電池反接損壞的方法，所述方法包括：

將第一P溝道MOSFET的柵極連接到第二P溝道MOSFET的漏極以及第一N溝道MOSFET的漏極；

將所述第一P溝道MOSFET的漏極連接到第一負載端子；

將所述第一P溝道MOSFET的源極連接到所述第二P溝道MOSFET的源極以及第一正電池端子連接器，所述第一正電池端子連接器被構造成電連接到第一電池端子；

將所述第二P溝道MOSFET的柵極連接到所述第一N溝道MOSFET的柵極以及第二正電池端子連接器，所述第二正電池端子連接器被構造成電連接到第二電池端子；以及

將所述第一N溝道MOSFET的源極連接到第一負電池端子連接器、第二負電池端子連接器和第二負載端子，

其中，所述第一負電池端子連接器被構造成電連接到第三電池端子，且

所述第二負電池端子連接器被構造成電連接到第四電池端子。