[發明專利]半導體器件在審
| 申請號： | 201480023909.7 | 申請日： | 2014-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN105144379A | 公開（公告）日： | 2015-12-09 |
| 發明（設計）人： | 佐藤知稔;荻野榮治;池谷直泰;森下敏 | 申請（專利權）人： | 夏普株式會社 |
| 主分類號： | H01L25/07 | 分類號： | H01L25/07;H01L25/18;H03K17/00;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳;池兵 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體器件，其由多個場效應晶體管共源共柵連接而成，其特征在于，包括：
常截止型場效應晶體管，其為所述多個場效應晶體管中的一個，具有形成有柵極電極和漏極電極的第一主面和形成有源極電極的第二主面；和
芯片焊盤，其具有與所述常截止型場效應晶體管的第二主面接觸的第一主面，且兼作該半導體器件的源極端子。
2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：
還包括常導通型場效應晶體管，其為所述多個場效應晶體管中的另一個，具有形成有源極電極、柵極電極和漏極電極的第一主面，
在所述常截止型場效應晶體管中，不僅在所述第二主面形成有源極電極，在所述第一主面也形成有源極電極，
在所述常截止型場效應晶體管的第一主面形成的源極電極與在所述常導通型場效應晶體管的第一主面形成的柵極電極由導電部件連接。
3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于：
所述常導通型場效應晶體管具有比所述常截止型場效應晶體管高的耐壓。
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