[發明專利]具有凹圖案的基材的制造方法、組合物、導電膜的形成方法、電子電路及電子元件有效
| 申請號： | 201480023657.8 | 申請日： | 2014-04-15 |
| 公開（公告）號： | CN105143977B | 公開（公告）日： | 2020-01-07 |
| 發明（設計）人： | 浜口仁;田中健朗;大喜多健三;栗山敬佑 | 申請（專利權）人： | JSR株式會社 |
| 主分類號： | G03F7/00 | 分類號： | G03F7/00;G03F7/039 |
| 代理公司： | 11205 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 | 代理人： | 彭雪瑞;臧建明 |
| 地址： | 日本東京港*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 圖案 基材 制造 方法 組合 導電 形成 電子電路 電子元件 | ||
1.一種具有凹圖案的基材的制造方法，其特征在于：包括下述(i)及(ii)的步驟，且不包括顯影步驟，制造具有凹圖案的基材；
(i)涂布組合物來形成涂膜的步驟，其中所述組合物含有具有酸解離性基的聚合物及酸產生劑；
(ii)對所述涂膜的既定部分進行放射線照射的步驟，
其中，放射線照射部與放射線未照射部對十四烷的接觸角差為30°以上，而且
所述具有酸解離性基的聚合物含有選自下述結構單元的組群中的至少一個，
2.根據權利要求1所述的具有凹圖案的基材的制造方法，其特征在于：還包括(iii)對所述放射線照射后的涂膜進行加熱的步驟。
3.根據權利要求1或2所述的具有凹圖案的基材的制造方法，其特征在于：相對于初期膜厚，所述凹圖案的膜厚小10％以上。
4.根據權利要求1或2所述的具有凹圖案的基材的制造方法，其特征在于：所述組合物含有具有乙烯性不飽和鍵的聚合性化合物。
5.一種組合物，其特征在于：其是用于根據權利要求1至4中任一項所述的具有凹圖案的基材的制造方法中。
6.一種導電膜的形成方法，其特征在于：在利用根據權利要求1至4中任一項所述的具有凹圖案的基材的制造方法所形成的所述凹圖案上，使用導電膜形成用組合物來形成導電膜。
7.一種電子電路，其特征在于：具有使用根據權利要求6所述的導電膜的形成方法所形成的導電膜。
8.一種電子元件，其特征在于：具有根據權利要求7所述的電子電路。
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