[發明專利]半導體元件裝配用基板的制造方法有效
| 申請號： | 201480023450.0 | 申請日： | 2014-03-11 |
| 公開（公告）號： | CN105144372B | 公開（公告）日： | 2018-01-09 |
| 發明（設計）人： | 菱木薫;木戶口俊一;中山博貴 | 申請（專利權）人： | 友立材料株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/12 | 分類號： | H01L23/12 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277 | 代理人： | 劉新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 元件 裝配 用基板 制造 方法 | ||
1.一種半導體元件裝配用基板的制造方法，其特征在于，在半導體元件裝配用基板的制造方法中，依次經過以下工序(1)～(7)：
(1)準備在第一金屬層上形成有安裝用金屬難以擴散的由Ni或NiP形成的第二金屬層的基底基板的工序；
(2)在所述基底基板的所述第二金屬層上形成被圖案化的抗蝕劑掩模層的工序；
(3)在從所述抗蝕劑掩模層露出的所述第二金屬層上通過電鍍Ni或NiP實施再加工處理來形成再加工面的工序；
(4)在所述基底基板的所述再加工面上施以有機性覆膜的工序，所述有機性覆膜利用包含顯示兩性表面活性劑的物性的成分的化學溶液來控制安裝用金屬層對于所述再加工面的密合性；
(5)在所述基底基板的所述再加工面上夾著所述有機性覆膜形成所述安裝用金屬層的工序；
(6)在所述安裝用金屬層上通過電鑄形成半導體元件裝配部及電極端子部的工序；
(7)去除所述基底基板的所述第二金屬層上的所述抗蝕劑掩模層的工序。
2.一種半導體元件裝配用基板的制造方法，其特征在于，在半導體元件裝配用基板的制造方法中，依次經過以下工序(1)～(7)：
(1)準備在第一金屬層上形成有安裝用金屬難以擴散的由Ni或NiP形成的第二金屬層的基底基板的工序；
(2)在所述基底基板的所述第二金屬層上形成被圖案化的抗蝕劑掩模層的工序；
(3)在從所述抗蝕劑掩模層露出的所述第二金屬層上通過軟蝕刻、在軟蝕刻后電鍍Ni或者在軟蝕刻后電鍍NiP中的任一者實施再加工處理來形成再加工面的工序；
(4)在所述基底基板的所述再加工面上施以有機性覆膜的工序，所述有機性覆膜利用包含顯示兩性表面活性劑的物性的成分的化學溶液來控制安裝用金屬層對于所述再加工面的密合性；
(5)在所述基底基板的所述再加工面上夾著所述有機性覆膜形成所述安裝用金屬層的工序；
(6)在所述安裝用金屬層上通過電鑄形成半導體元件裝配部及電極端子部的工序；
(7)去除所述基底基板的所述第二金屬層上的所述抗蝕劑掩模層的工序。
3.一種半導體元件裝配用基板的制造方法，其特征在于，在半導體元件裝配用基板的制造方法中，依次經過以下工序(1)～(6)：
(1)準備在第一金屬層上形成有安裝用金屬難以擴散的由Ni或NiP形成的第二金屬層的基底基板的工序；
(2)在所述基底基板的所述第二金屬層上形成被圖案化的抗蝕劑掩模層的工序；
(3)在所述基底基板的所述第二金屬層上施以有機性覆膜的工序，所述有機性覆膜利用包含顯示兩性表面活性劑的物性的成分的化學溶液的pH來控制安裝用金屬層對于所述第二金屬層的密合性；
(4)在所述基底基板的所述第二金屬層上夾著所述有機性覆膜形成所述安裝用金屬層的工序；
(5)在所述安裝用金屬層上通過電鑄形成半導體元件裝配部及電極端子部的工序；
(6)去除所述基底基板的所述第二金屬層上的所述抗蝕劑掩模層的工序。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的半導體元件裝配用基板的制造方法，其特征在于，所述顯示兩性表面活性劑的物性的成分為甜菜堿型、氧化胺型或氨基酸型。
5.根據權利要求1～3中任一項所述的半導體元件裝配用基板的制造方法，其特征在于，所述第一金屬層為Cu、SPCC或42合金中的任一者。
6.根據權利要求1～3中任一項所述的半導體元件裝配用基板的制造方法，其特征在于，所述安裝用金屬層為Au、Pd或Au/Pd中的任一者。
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