[發明專利]浮法平板玻璃制造方法有效
| 申請號: | 201480023330.0 | 申請日: | 2014-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN105143132B | 公開(公告)日: | 2017-08-08 |
| 發明(設計)人: | 安田興平;林泰夫;井川信彰;市川龍麻;宮坂聰史 | 申請(專利權)人: | 旭硝子株式會社 |
| 主分類號: | C03C15/02 | 分類號: | C03C15/02;C03B18/02 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司11219 | 代理人: | 胡嵩麟,王海川 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 平板玻璃 制造 方法 | ||
1.一種浮法平板玻璃制造方法,其中,在浮拋窯內的500~1200℃的還原氣氛中,將含氯氣體和含氟氣體以分別滿足下述式(1)、(2)所示的條件的方式噴霧到玻璃帶表面上,
(6.92u1+15.8)c1t1·exp(-4303/T1)>r (1)
式(1)中,c1為含氯氣體的氯濃度[體積%],u1為含氯氣體的線速度[cm/s],t1為含氯氣體的噴霧時間[s],T1為玻璃帶的表面溫度[K],r為玻璃帶表面上存在的錫缺陷的半徑[μm];
(6.92u2+15.8)c2t2·exp(-4303/T2)>r (2)
式(2)中,c2為含氟氣體的氟濃度[體積%],u2為含氟氣體的線速度[cm/s],t2為含氟氣體的噴霧時間[s],T2為玻璃帶的表面溫度[K],r為玻璃帶表面上存在的錫缺陷的半徑[μm]。
2.如權利要求1所述的浮法平板玻璃制造方法,其中,在將制造的玻璃的玻璃化轉變溫度設為Tg時,在浮拋窯內的Tg+30℃~Tg+300℃的還原氣氛中,將所述含氯氣體和所述含氟氣體噴霧到所述玻璃帶表面上。
3.如權利要求1或2所述的浮法平板玻璃制造方法,其中,所述含氯氣體為氯化氫(HCl)。
4.如權利要求1或2所述的浮法平板玻璃制造方法,其中,所述含氟氣體為氟化氫(HF)。
5.如權利要求1或2所述的浮法平板玻璃制造方法,其中,所述含氯氣體的氯濃度c1[體積%]與所述含氟氣體的氟濃度c2[體積%]的合計c1+c2大于5[體積%]。
6.如權利要求5所述的浮法平板玻璃制造方法,其中,所述含氯氣體的氯濃度c1[體積%]為2[體積%]以上。
7.如權利要求5所述的浮法平板玻璃制造方法,其中,所述含氟氣體的氟濃度c2[體積%]為2[體積%]以上。
8.如權利要求1或2所述的浮法平板玻璃制造方法,其中,所述含氯氣體的氯濃度c1[體積%]與所述含氯氣體的噴霧時間t1[s]的乘積c1×t1與所述含氟氣體的氟濃度c2[體積%]與所述含氟氣體的噴霧時間t2[s]的乘積c2×t2之和(c1×t1)+(c2×t2)大于120[體積%×s]。
9.如權利要求1或2所述的浮法平板玻璃制造方法,其中,所述含氯氣體的噴霧時間t1[s]或所述含氟氣體的噴霧時間t2[s]中的任意一者少于10[s]。
10.一種浮法平板玻璃,其為通過權利要求1~9中任一項所述的浮法平板玻璃制造方法而得到的浮法平板玻璃,其中,
在將浮法平板玻璃的距離與在浮拋窯內與熔融金屬接觸的面相對的頂面0.05μm深度處的氯含量設為Cl1[重量%]、并將距離所述頂面大于0.05μm且小于等于10μm深度處的氯含量的最小值設為Cl2[重量%]時,Cl1>Cl2;
在將距離所述頂面0.05μm深度處的氟含量設為F1[重量%]、并將距離所述頂面大于0.05μm且小于等于20μm深度處的氟含量的最小值設為F2[重量%]時,F1>F2。
11.一種浮法平板玻璃,其中,
在將浮法平板玻璃的距離與在浮拋窯內與熔融金屬接觸的面相對的頂面0.05μm深度處的氯含量設為Cl1[重量%]、并將距離所述頂面大于0.05μm且小于等于10μm深度處的氯含量的最小值設為Cl2[重量%]時,Cl1>Cl2;
在將距離所述頂面0.05μm深度處的氟含量設為F1[重量%]、并將距離所述頂面大于0.05μm且小于等于20μm深度處的氟含量的最小值設為F2[重量%]時,F1>F2。
12.如權利要求11所述的浮法平板玻璃,其中,所述浮法平板玻璃為通過在浮拋窯內使含氯氣體和含氟氣體與所述浮法平板玻璃的玻璃表面接觸而進行表面處理而制造的浮法平板玻璃。
13.如權利要求11或12所述的浮法平板玻璃,其中,具有如下區域:距離所述頂面大于0.05μm且小于等于10μm深度處的氯或氟含量高于在浮拋窯內未將含氯氣體和含氟氣體噴霧到玻璃帶表面上的浮法平板玻璃的氯或氟含量。
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