[發明專利]半導體裝置的制造方法有效
| 申請號: | 201480023152.1 | 申請日: | 2014-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN105144358B | 公開(公告)日: | 2018-01-02 |
| 發明(設計)人: | 戎井崇裕;古市昌子;井上修二 | 申請(專利權)人: | 青井電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/02;H01L23/28 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司11243 | 代理人: | 張敬強,嚴星鐵 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 制造 方法 以及 | ||
技術領域
本發明涉及半導體裝置的制造方法。
背景技術
在將半導體元件密封于陶瓷等材料中而成為中空構造的電子封裝部件的制造方法中,公知有如下方法:制成具有多個凹部的基板,在凹部容納半導體元件,并遍及基板整個面由板狀的密封部件密封,之后在凹部的中間部進行切斷,由此制造各個半導體裝置(例如參照專利文獻1)。
并且,也公知有如下方法:將半導體元件載置于平板狀的基板,由形成有凹部的蓋部件進行密封,由此制造具有中空構造的半導體裝置(例如參照專利文獻2)。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開平11-307664
專利文獻2:日本特開平4-148553
發明內容
發明所要解決的課題
如以往技術那樣,若在半導體裝置的基板、蓋部件形成凹部,則與平板狀的基板相比成本變高。并且,需要用于粘貼密封用的蓋部件的堤部,從而半導體裝置變得大型。
用于解決課題的方案
根據本發明的第一方案,是一種半導體裝置的制造方法,該半導體裝置在基板的上表面載置有具有功能元件的至少一個半導體芯片,設置在上述基板的上表面的電極和上述半導體芯片的電極由線纜連接,上述半導體裝置的制造方法的特征在于,具備:在具有多個上述基板的大小且在上表面形成有與各上述半導體芯片的電極連接的電極的一塊原基板的上表面,將多個上述半導體芯片載置且固定于規定的位置的固定工序;通過線纜連接多個上述半導體芯片的電極和上述原基板的電極的連接工序;在上述原基板的上表面,在各上述半導體芯片的周圍,以比上述線纜的最高高度位置高的方式澆注熱固化性的樹脂而對各上述半導體芯片的側方整周進行樹脂密封的密封工序;將上述樹脂加熱成為半固化狀態的半固化工序;以橫跨多個上述半導體芯片的方式將成為各上述半導體芯片的保護罩的一塊保護罩粘接于上述樹脂的表面的粘接工序;使粘接有上述保護罩的上述樹脂固化的固化工序;以及將經由上述樹脂而在上述原基板粘接有上述一塊保護罩的半導體裝置集合體切斷為單個的半導體裝置的切斷工序,以在各上述半導體芯片的上表面與上述一塊保護罩的內表面之間形成上述線纜局部露出的空間的方式,在對上述各半導體芯片的側方整周進行密封的上述樹脂的表面粘接上述一塊保護罩。
根據本發明的第二方案,一種半導體裝置的制造方法,該半導體裝置在基板的上表面載置有具有功能元件的至少一個半導體芯片,設置在上述基板的上表面的電極和上述半導體芯片的電極由線纜連接,上述半導體裝置的制造方法的特征在于,具備:在具有多個上述基板的大小且在上表面形成有與各上述半導體芯片的電極連接的電極的一塊原基板的上表面,將多個上述半導體芯片載置且固定于規定的位置的固定工序;通過線纜連接多個上述半導體芯片的電極和上述原基板的電極的連接工序;在上述原基板的上表面,在各上述半導體芯片的周圍,以比上述線纜的最高高度位置高的方式澆注熱固化性的樹脂而對各上述半導體芯片的側方整周進行樹脂密封的密封工序;使上述樹脂固化的固化工序;在固化了的上述樹脂的表面涂敷粘接劑的粘接劑涂敷工序;以橫跨多個上述半導體芯片的方式將成為各上述半導體芯片的保護罩的一塊保護罩粘接于上述樹脂的表面的粘接工序;以及將經由上述樹脂而在上述原基板粘接有上述一塊保護罩的半導體裝置集合體切斷為單個的半導體裝置的切斷工序,以在各上述半導體芯片的上表面與上述一塊保護罩的內表面之間形成上述線纜局部露出的空間的方式,在對上述各半導體芯片的側方整周進行密封的上述樹脂的表面粘接上述一塊保護罩。
根據本發明的第三方案,一種半導體裝置的制造方法,該半導體裝置在基板的上表面載置有具有功能元件的至少一個半導體芯片,設置在上述基板的上表面的電極和上述半導體芯片的電極由線纜連接,上述半導體裝置的制造方法的特征在于,具備:
在具有多個上述基板的大小且在上表面形成有與各上述半導體芯片的電極連接的電極的一塊原基板的上表面,將多個上述半導體芯片載置且固定于規定的位置的固定工序;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于青井電子株式會社,未經青井電子株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201480023152.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





