[發明專利]用于制造光電子半導體芯片的方法和光電子半導體芯片

有效

• 申請號: 201480022502.2
• 申請日: 2014-03-19
• 公開（公告）號: CN105122472B
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發明（設計）人: 安德烈亞什·普洛索
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01S5/02;B23K26/00;B23K26/40;H01L33/32
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 丁永凡;李德山

1.一種用于制造多個光電子半導體芯片(10)的方法，所述方法具有下述步驟：

A)提供載體復合件(11)，所述載體復合件是藍寶石晶片；

B)將具有至少一個用于產生電磁輻射的有源區的半導體層序列(2)施加到所述載體復合件(11)上；以及

C)在相鄰的半導體芯片(10)或半導體芯片組之間的分離區域(S)中，將所述載體復合件(11)和所述半導體層序列(2)分成各個半導體芯片(10)或半導體芯片組；

其中所述步驟C)包括：

D)在所述載體復合件(11)中在所述分離區域(S)中通過聚焦的、脈沖的激光輻射(L)分別產生多個能選擇性刻蝕的材料改變部，其中所述激光輻射(L)具有下述波長，在所述波長下，所述載體復合件(11)是透明的；以及隨后

E)將所述材料改變部濕化學地刻蝕，

其中

-將所述載體復合件(11)通過濕化學的刻蝕與其他的材料去除法組合的方式分割成用于所述半導體芯片(10)或用于所述半導體芯片組的各個載體(1)，

-在步驟C)中，通過所述分離區域(S)形成所述載體(1)的平滑的側面(3)；

-所述分離區域(S)沒有完全地穿過所述載體；

-在產生所述側面(3)之后，將至少一個鏡層(6)在所述分離區域(S)中施加到所述側面(3)上；

-在所述半導體層序列(2)的背離所述載體復合件(11)的一側上，安置暫時的輔助載體(12)；以及

-在安置所述輔助載體(12)之后，借助其他的材料去除法進行分割，并且所述其他的材料去除法是磨削或研磨。

2.根據權利要求1所述的方法，

其中

-所述半導體層序列(2)基于AlInGaN并且外延地生長到所述載體復合件(11)上；

-在步驟C)之前，將所述半導體層序列(2)部分地或完全地從所述分離區域(S)移除；以及

-在步驟E)之后，在俯視圖中觀察，所述半導體芯片(10)分別具有至少兩個角部，在所述角部中，所述半導體芯片(10)的棱邊以不等于90°的角度相交。

3.根據權利要求2所述的方法，

其中在所述分離區域(S)的在步驟C)之前將所述半導體層序列(2)移除的區域(5)具有在1μm和20μm之間的寬度，其中包含邊界值。

4.根據權利要求1所述的方法，

其中將所述鏡層(6)施加在所有通過材料移除在所述分離區域(S)中露出的面上。

5.根據權利要求4所述的方法，

其中在部分地移除所述半導體層序列之后，將至少一個暫時的保護層(8)施加到這樣結構化的所述半導體層序列(2)上。

6.根據權利要求5所述的方法，

其中所述鏡層(6)附加地在所述半導體層序列(2)的側面上并且在所述保護層(8)的露出的區域上延伸。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，

其中在分割之后并且在移除所述輔助載體(12)之前，制造連續的澆注體(13)，所述澆注體將分割的所述半導體芯片(10)分別環形地包圍并且彼此機械連接；

其中隨后劃分所述澆注體(13)，使得形成具有至少一個構成為倒裝芯片的所述半導體芯片(10)并且具有所述澆注體(13)的一部分的多個半導體構件(30)，并且其中移除所述輔助載體。

8.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，

其中在步驟D)中，將所述激光輻射(L)在所述分離區域(S)中分別以二維的鋸齒形圖案引導。

9.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，

其中在橫截面中觀察，所述分離區域(S)以相對于所述半導體層序列(2)的生長方向(G)以不等于0°的角度(A)伸展。

10.根據權利要求9所述的方法，

其中角度(A)位于15°和75°之間并且通過步驟D)來確定，其中包含邊界值。