[發明專利]蝕刻方法

有效

• 申請號: 201480022312.0
• 申請日: 2014-03-05
• 公開（公告）號: CN105122432B
• 公開（公告）日: 2017-12-08
• 發明（設計）人: 高橋信博;高橋哲朗;守谷修司;松本雅至;松永淳一郎
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,張會華

1.一種蝕刻方法，其特征在于，

該蝕刻方法包括以下工序：

將在表面上具有氮化硅膜且具有與所述氮化硅膜相鄰地設置的多晶硅膜和/或氧化硅膜的被處理基板配置在腔室內；

將含F氣體和O₂氣體以至少將O₂氣體激勵后的狀態向所述腔室內供給；以及

利用這些氣體相對于所述多晶硅膜和/或所述氧化硅膜選擇性地對所述氮化硅膜進行蝕刻，

其中，將所述含F氣體和所述O₂氣體在所述腔室外單獨地利用等離子體激勵之后單獨地導入到所述腔室內。

2.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于，

還供給非活性氣體來進行蝕刻處理。

3.根據權利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于，

在所述蝕刻之前，向所述被處理基板供給氧等離子體而對所述被處理基板的表面進行預氧化處理。

4.根據權利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于，

所述含F氣體是被非活性氣體稀釋后的F₂氣體。

5.根據權利要求4所述的蝕刻方法，其特征在于，

在進行所述蝕刻時，F₂氣體與O₂氣體之間的體積比在1：2～1：1000的范圍內。

6.根據權利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于，

所述含F氣體為ClF₃氣體。

7.根據權利要求6所述的蝕刻方法，其特征在于，

在進行所述蝕刻時，ClF₃氣體與O₂氣體之間的體積比在1：4～1：1000的范圍內。

8.根據權利要求2所述的蝕刻方法，其特征在于，

所述非活性氣體是N₂氣體和/或Ar氣體。

9.根據權利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于，

在進行所述蝕刻時，使在所述腔室內載置所述被處理基板的載置臺的溫度在10℃～200℃的范圍內。

10.根據權利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于，

在進行所述蝕刻時，使所述腔室內的壓力在13Pa～1333Pa的范圍內。

11.一種蝕刻方法，其特征在于，

該蝕刻方法包括以下工序：

將在表面上具有氮化硅膜且具有與所述氮化硅膜相鄰地設置的多晶硅膜和/或氧化硅膜的被處理基板配置在腔室內；

將含F氣體和O₂氣體以至少將O₂氣體激勵后的狀態向所述腔室內供給；以及

利用這些氣體相對于所述多晶硅膜和/或所述氧化硅膜選擇性地對所述氮化硅膜進行蝕刻，

將所述含F氣體在沒有被激勵的情況下導入到所述腔室內，將所述O₂氣體在所述腔室外利用等離子體激勵之后導入到所述腔室內。

12.根據權利要求11所述的蝕刻方法，其特征在于，

還供給非活性氣體來進行蝕刻處理。

13.根據權利要求11或12所述的蝕刻方法，其特征在于，

在所述蝕刻之前，向所述被處理基板供給氧等離子體而對所述被處理基板的表面進行預氧化處理。

14.根據權利要求11或12所述的蝕刻方法，其特征在于，

所述含F氣體是被非活性氣體稀釋后的F₂氣體。

15.根據權利要求14所述的蝕刻方法，其特征在于，

在進行所述蝕刻時，F₂氣體與O₂氣體之間的體積比在1：2～1：1000的范圍內。

16.根據權利要求11或12所述的蝕刻方法，其特征在于，

所述含F氣體為ClF₃氣體。

17.根據權利要求16所述的蝕刻方法，其特征在于，

在進行所述蝕刻時，ClF₃氣體與O₂氣體之間的體積比在1：4～1：1000的范圍內。